负偏压不稳定性的危害及防治 negative-bias temperature instability cure by process optimization.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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负偏压不稳定性的危害及防治 negative-bias temperature instability cure by process optimization

第7卷．第9期电子与封装总第53期 Vo】7No9 删r7年9月 ELECTRONICS＆PACKAGING 嗷‘j 7龟j俘ji首足诗，r与l可，t素i性负偏压不稳定性的危害及防治任佳栋1’2．汪辉1，陆峰2 摘要：负偏压不稳定性(NBTI)已成为现代集成电路制造的巨大挑战。文章将讨论负偏压不稳定性对器件及电路的影响，井对影响负偏压不稳定性的集成电路制造步骤进行分析。最后，我们找到一些对现有工艺进行改进的方法隶减小负偏压不稳定性。关键词：集成电路；自偏压不稳定性；可靠性中图分类号：TN705 文献标识码：A Cure NegatiVe-biasTemperatureInstabiIjtyby Pmce蟠optimizadon REN Jia—donF2，wANGHLIil，uJFen矿 200030，“胁珥 (1．Sc^∞Z矿肘lcrDPkf阳H帆跏d“gh击，i叩细愕嘶ivem吼鼬““g地i 2．跗』C 5^Ⅱ“g砌i201203，c^inⅡ) tempemlure amajor formodem circuits Abstract．NegatiVe-biasinstability(NBTI)ischallenge integfated manufacture．Inthis djscussmeresultsofsuchs仃essondeviceaIldcircuit．PerforrnanceNBTIis paper，we fmma of a ofme that approachedpmcesspointview，pmvjdinggenemIpicturemanufactunngprocesssteps affect isfoundmatseveml be t0reducet11eNBlI NBⅡpe响肿ance．It processstepsmayoptiInized suscep廿- MOSFEl瞻． bilityofp．type Keywords：inte{驰tedcnuits；NBⅡ；reⅡabn时的特性改进依然是最复杂和最具挑战性的，因为器件的 1 引言阈值电压的稳定性和栅极氧化层的性能都会对它产生非常大的影响，而几乎所有的集成电路制造工艺流程因素随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米都会对其产生影响。所以我们要对NBTI的特性及影响技术，我们需要面对一些新的障碍和挑战去迎接下一个因素进行广泛和深入地研究。时代的到来。面对这些障碍对产品的良率和产品的可靠性的影响，主要的挑战屉如何通过改善制造工艺的整合 2 NBTI的定义及基本特性以及设}1版图去克服它