3C_SiC_Si异质结二极管的高温特性_英文_.pdfVIP

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2017-08-13 发布于天津
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3C_SiC_Si异质结二极管的高温特性_英文_

　第 25 卷第 9 期半　导　体　学　报 . 25, . 9 V o l N o 　2004 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 2004 3 - H igh Tem perature Character istics of C SiC Si Heterojunction D iodes Grown by L PCVD 1, 2 1 1 1 1 Zhang Yongx ing , Sun Guo sheng , W ang L ei , Zhao W an shun , Gao X in , 1 1 2 Zeng Y ip ing , L i J inm in and L i Siyuan ( 1N ovel S em icond uctor M aterial L aboratory , Institu te of S em icond uctors, T he Ch inese A cad emy of S ciences, B eij ing 　100083, Ch ina) (2 S chool of P hy sical S cience and T echnology , L anz hou U niversity , L anz hou 　 730000, Ch ina) : (300～ 480 ) 3 ( ) Abstract T he h igh temperature K characteristics of the n C SiC p Si hetero junction diodes HJD ( 100) . fabricated by low p ressure chem ical vapo r depo s