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半导体存储器的
4 章 半导体存储器 §4.1 存储器概述 一、存储器的分类 掩膜/ 固定ROM 一次可编程PROM 只读存储器ROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除EEPROM 内部存储器（半导体存储器） 静态存储器SRAM 随机读写存储器RAM 动态存储器DRAM 磁介质存储器 外部存储器 光介质存储器 二、半导体存储器的主要指标 1．存储容量 存储器的容量以二进制位（bit ）为单位。 若干二进制位组成一个存储单元，每个单元分配一个地址。因此存储容量=存储单元数 每单元位数 如：1K 4 位、8K 8 位、256K 16 位等。 2 ．存取速度 读写周期——连续两次读或写操作的时间间隔。 存储器带宽——每秒钟读取或写入的字节数。 1 §4.2 随机存储器RAM 一、静态RAM 1．基本存储单元 T1、T2 构成双稳态触发器，T3、T4 为负载管。 Xi T1 导通时，A 为低电平，T2 必然截止；T1 VCC 截止时，A 为高电平，T2 导通。 T3 T4 写入 “1”：IO=1 ，IO =0 ，T5、T6 导通，则T1 截止，T2 导通。 T5 T6 T1 T2 SRAM 功耗大，因而集成度低。 2 ．静态RAM 芯片的内部结构 GND RAM 芯片由存储矩阵、地址译码和读写控制三 T8 T7 部分组成。 Yj 行 A0 地 读写 I/O1 址 存储矩阵 控制 A3 I/O3 译 码
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