低相位噪声压控振荡器设计 design of a low-phase-noise vco.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低相位噪声压控振荡器设计 design of a low-phase-noise vco

笏熬熙测缈发低相位噪声压控振荡器设计．贺勇1，曾健平2，文华峰2，谢海情2 (1．长沙理工大学电气与信息工程学院，长沙4t0076； 2．湖南大学物理与镘电子科学学院，长沙410082) 管做负阻管，在尾电流源处加入电感电容滤波，优化电感设计，设计了一种高性能压控振荡器。采用喁Mc cMOs 0．18肛mIP6M 路的偏置电流为6nlA、电源电压vDD=1．8V时，输入控制电压为0．8一1．8V，输出频率变化为 1．29—1．5l GI王z，调谐范围为12．9％，相位噪声为一134．4dBc／IIz@1M}k，功耗仅为10．8mw。关键词：压控振荡器；相位噪声；电感电容滤波；互补Mos 中图分类号：TN752文献标识码：A 文章编号：1003．353x(2007)11．0992．∞ ofaLow-Phase-Noise Design VC0 HE Yon91，zENGJiaIl—pin孑，wENHua—fen92，xIEHai-qinf 410076，“讹 (1．c0如酽0，旦州啦以＆删；n越曲nE呼删昭，‰耐4曲赫毋0，＆诂聊∞dz‰幻盯，矾埘酽k 2．co如萨矿肼岬洒衄d_|lf触跏咖s饼n埘．胁‘胁R哳胁蚵，踟n舒h410082，c拖船) to tlIe Lc kiⅡd0f VcOwas Vc0，a Abstran：Accordinglhe且naly8i軎0fpIm鸵110i∞of higllperfonn明ce th哪ugIl g砷cture0ftheciIcuit．PMOSandNM0sw盯e desi印ed ref0加五1增the Ilsl甜聃neg砒ive辟sist粕c髑 inthig w鹊u盹dfor in出e“l circllit．LC curre呲80urce．InductaIlce to铲tller noi姑矗l妇{“g w船optil|lized． The in鸭Mc cMOsRF si咖latedthe in circu“哪desi舭edO．18邺IP6M proc嗌，蛆d by 8Pec滩RF 酬enoe V．1hec峨ms0眦eig comml 0．卜1．8V． at靴pplyvolt学0f1．8 6ItlA，卸d‰砌舻0fvol‘啦is The dBc／№8t锄 0u‘put鲫Ie”cy妇1．29—1．5la№，帅dtuniIlgra。学i8叩tol2．9％．P}la跎加isei8—134．4 oftheci吼Iiti8 mW．础融0flM比．111e咖tic power 0nlylO．8 KeywordS：VCO；pha孵彻k；Lc矗her；cMOS 器的相位噪声要求越来越高，相位噪声是信息传输 1 引言