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- 电 子 工 业 董 用 设 苗 · 行业快讯 · 为疲弱,而与低阶智能型手机及 Apple相关供应 链则相对具有营运表现支撑力道。 . ¨L r穗国研制出世界首款化“学芯片 德 国德累斯顿工业大学 日前成功研制出~款 的成分、浓度等属性 自动做出反应,允许液体通过 “化学芯片”,这也是世界上第一款 “化学芯片”。 或者阻断其通过。通过这样的控制,化学液体就可 “化学芯片”大小接近 A5纸张,厚度与手指 以按照预先设定的方式进行分析反应 。 相当,由多层复合材料构成,密集的网格状微小管 这种芯片 目前已实现血样、尿样的快速 自动 道分布其中,2000个微量阀门可以根据化学液体 分析,并可作为快速检验血糖水平的工具。 r意智浦超小型MosFET采用可焊性镀锡侧焊盘-』 恩智浦半导体 日前推 出业 内首款 2mmX2nTwl、 超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想 采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN(分立式扁平 之选 。该款MOSFET还适用于其他空间受限应 无引脚)封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光 用 ,其中包括直流电机 、服务器和 网络通信 以及 学焊接检测的优势,与传统无引脚封装相比,焊接 LED照明,在这类应用中功率密度和效率尤为 连接质量更好 。 关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准 SO8封装 即将面世的新型PMPB11EN和 PMPB20EN30VN 的八分之一,提供与其相当的热阻,能够代替具 沟 道 MOSFET 是 采 用 恩 智 浦 DFN2020MD.6 有相同导通 电阻Rdsfon)值范围的许多大型 (SOT1220)封装的20多类器件中率先推出的两款 MOSFET封装,如 SO8封装、3mm×3mm封装 产品。这两款 MOSFET的最大漏极 电流0D)大于 或 TSSOP8封装 。 l0A、10V时的超低导通 电阻Rds(on)分别为 新型 MOSFET提升 了恩智浦超小型无 引脚 12mfZ(典型值)和 16.5mfZ(典型值),因此导通 MOSFET产品线,截止到今年年末将有超过 60 损失小,功耗更低,电池使用寿命更长。 种封装 ,封装尺寸为 2mm ×2mm 或 1mm × 新型 DFN2020MOSFET高度 仅 为 0.6mm, 0.6mm。如今,恩智浦是超小型低导通 电阻Rds 比当今市场上大多数2rrLrn×2rnrn的产品更加 (on)MOSFET的主要生产商,提供 电平场效应 晶 轻薄,是智能手机和平板电脑等便携应用设备中 体管(FET)和双极晶体管技术。 r 韩成半导体设备支出最大市场 _』 国际半导体设各材料产业协会 (SEMI)预期, SEMI预估,韩国今年半导体设备支出金额将 韩国半导体设备支出金额今年将突破 100亿美元 达 114.8亿美元,按年增加 32.6%,将跃居全球最 大关,达 114.8亿美元,并超越北美,成为全球半 大市场。同时,中国台湾地区的支出金额为92.6 导体设备支出最大市场 。 亿美元,按年增加8.6%,居全球第二大市场。 根据 SEMI发表的半导体设备资本支出年中 而北美、日本、欧洲及中国的支出金额,则将 预测报告预估,今年全球半导体设备产值约423.8 同步较去年减少。 亿美元,按年减少 2.6%,但仍将为历年第 4高。 SEMI表示,平板电脑及智慧手机等行动装置
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