带隙基准.docxVIP

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带隙基准

带隙基准电压源实验报告一、实验名称:带隙基准电压源二、实验目的:1.熟悉掌握OrcadcaptureCIS的使用方法以及常见的仿真方法和参数设置。2.利用OrcadcaptureCIS设计带隙基准电压源,并完成要求功能。3.掌握带隙基准电压源的设计原理及计算方法。三、实验步骤:(一)参数设置:1.电源电压VCC=2.7V,室温下(T=300K)时,IEQ=10uA。2.确定电路结构后,预选两三极管的发射结面积之比为8,则有公式IEQ=VT*ln(8)/R1,计算可得R1=5.4K。3.且由Vref=Vbe+αVT,当α=17.2时,使得Vref对温度T的偏导数为0,构成一个带隙基准电压源。而α=(1+R2/R1)ln(8),由R1=5.4K计算得R2=39.3K。5.再由各级电流确定各放大MOS管以及启动电路MOS管的宽长比。6.进行仿真验证。(二)步骤及结果:1、画出电路结构,按照以上计算的参数设置,电路如图所示:如上图所示,R1取值为5.4K时,进行温度扫描,所得结果,如下图所示:由图形曲线可以看出,温度偏移了我预想设置的温度,说明计算存在偏差,我通过改变R1的值来调节,使Vref在室温下是一个定值,且达到最大。如下为参数扫描的曲线,确定R1:由图形可以看出,在不同的温度下,Vref的变化,以及其随R1的变化。当R1=5.6K时,所有曲线相交于一点,说明当R1=5.6K时,Vref在室温时能达到最大值,更改R1的值后,所得扫描曲线Vref随温度的变化为:由图所示,当温度在22~35度之间,Vref为一定值,所得基准电压比较稳定,结果比较满意。2、仿真验证正温度系数电压,结果如图所示:如图,两者电压差只有20uV左右,比较稳定,所以输出电压Vref也很稳定,设计非常成功。仿真观察电源抑制比PSRR,电路图如图所示:在电源电压上串联一个交流电压源来模拟电源的不稳定,在电源的不断变化时,观察输出基准电压Vref的电压增益,就能得到电源抑制比PSRR,通过交流仿真可以实现,结果如图所示:PSRR仿真图:如图所示,PSRR值也比较高,在70dB以上,满足设计需求,这次设计很成功。 由此,一个带隙基准电压源的设计计算以及仿真验证就完成了,设计结果符合要求。四、心得体会:通过本次实验利用软件分析某一变量随一参数改变的曲线关系,从而得到需要设定的值。还有交流仿真,及其参数设定。掌握了参数扫面以及温度扫描调试。提升了对问题的分析和处理能力。

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