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HFP830-汕头华汕电子器件有限公司
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP830 对应国外型号 IRF830 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-220 █ 极限值 （T =25 ℃） a T s t g ——贮存温度………………………………… -5 5 ~ 1 5 0 ℃ T j ——结温………………………………………… -5 5 ~ 1 5 0 ℃ 1―栅 极G V D S S ——漏极—源极电压…………………………………5 0 0 V 2 ―漏 极D 3 ―源 极S VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=1M Ω) …………………………… 500V V G S ——栅极—源极电压………………………………… ±2 0 V I D ——漏极电流（T c = 2 5 ℃）…………………………………4 . 5 A P D ——耗散功率（T c = 2 5 ℃）………………………………7 5 W █ 电参数（T =25 ℃） a 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVDSS 漏—源极击穿电压 500 V ID=250µA，VGS=0 IDSS 零栅压漏极电流 25 µA VDS=500V，VGS=0 IGSS 栅极泄漏电流 ±100 nA VGS=±20V，VDS=0 VGS（th） 栅—源极开启电压 2.0 4.0 V VDS=VGS，ID=250µA ID（on） 导通状态漏极电流 4.5 A VDS≥6.75V，VGS=10V RDS（on） 漏—源极导通电阻 1.5 Ω VGS=10V，ID=2.5A gfs 正向跨导 2.5 S VDS=40V，ID=2.5A Ciss 输入电容 800 pF Coss 输出电容 200 pF VDS=25V，VGS=0，f=1MHz Crss 反向传输电容 60 pF Td（on） 导通延迟时间 30 ns Tr 上升时间 30 ns VDD=200V，ID=2.5A（峰 Td（off） 断开延迟时间 55 ns 值），RG=15Ω Tf 下降时间 30 ns Qg 栅极总电荷 22 30 nC VDS=0.8VDSS, Qgs 栅极—源极电荷 12 nC VGS
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