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独特谐振模式下薄膜体声波谐振器的设计-光学精密工程.PDF
第 卷 第 期 光学 精密工程
17 6
Vol.17 No.6
O ticsandPrecisionEnineerin
年 月 p g g
2009 6 Jun.2009
文章编号 ( )
1004924X200906125106
独特谐振模式下薄膜体声波谐振器的设计
莫绍孟,陈剑鸣,吴光敏,赵建军
(昆明理工大学 理学院 MEMS实验室,云南 昆明10086)
摘要:计算了四层复合结构的薄膜体声波谐振器( )的输入阻抗谱,各层采用的材料分别是 / / / ,其尺寸
FBAR AlAlN AlSi
2 2
为 / / / ,得出其有效机电耦合系数 随谐振模式的分布情况,从而得到最大 的独特谐振
0.8 m 1.9 m 0.8 m 100 m 犽ff 犽ff
μ μ μ μ e e
模式在 为第 阶谐振模式。从理论上探讨了各层的尺寸及材料属性对该独特谐振模式及其频移的影响,以
1 2GHz 40
~
及串联谐振品质因数 FOM等滤波器设计的主要性能参数在该模式下的分布情况。实验结果表明,工作在独特谐振模
式下的FBAR的性能依赖于各层材料尺寸,当压电层厚度从 0.2 m变到 4.3 m时,特殊谐振模式频率从 1.2GHz增
μ μ
加到 4.8GHz;当基底厚度变厚时,有效机电耦合系数从 3.2%变到 0.8%,串联品质因数从 2000变到 700;而电极变厚
后,有效机电耦合系数趋于一个稳定值。这些数据在实际设计过程中对滤波器的微调具有参考意义。
关 键 词:薄膜体声波谐振器;有效机电耦合系数;品质因数
中图分类号: 文献标识码:
TN752 A
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