高效率氮化镓发光二极体成长于奈米压印技术锥形二氧化矽图形化基板.PDF

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2017-08-12 发布于天津
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NANO COMMUNICATION 20No. 2 09 Highly Efficient GaN-based Light-emitting Diodes on Cone-shaped SiO2 Patterned Template by Nanoimprint Lithography 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 2 Abstract In t his st udy, we successf ully t ransferred t he patterns of a cone-shaped patterned sapphire subst rate (CPSS) into SiO2 layer to fabricate a cone-shaped SiO2 patterned template by using nanoimprint lithography (NIL). The GaN-based light-emitting diodes 2 10 (LEDs) were grow n on t his template by metal–organic chemical vapor deposition (MOCV D). T he t ransmission elect ron microscopy (T EM) images suggest that the stacking faults formed near the cone-shaped SiO2