PECVD 对硅材料的钝化作用.PDF

第 24 卷 　第 3 期 太　阳　能　学　报 Vol 24 ,No 3 2003 年 6 月 　　　　　　　　　　　　　 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA 　　　　　　　　　　　　　 J un. ,2003 文章编号 (2003) PECVD 对硅材料的钝化作用 陈凤翔 ,崔容强 ,孟凡英 (上海交通大学物理系太阳能研究所 ,上海 200240) 摘 　要 :该文通过实验 ,发现对硅片采用双层钝化体系 SiO / SiN 可降低表面复合速度到 S 1cm/ s ; 而在采用 PECVD 2 x 钝化的过程中 ,最重要的影响因素是 FGA 的温度 ,退火温度越低越好 ;最后分析了 H 原子对硅片钝化的微观机理。 关键词 :沉积 ;钝化 ;Joe 中图分类号: T K51 　　　　文献标识码 :A ( ) 使用 PCD 光电导衰减 来测量。有效寿命与体寿 0 　引　言 命 τ有下列关系[6 ] : b 硅材料中含有大量的杂质和缺陷 ,导致硅中少 1 1 S ( ) = + 2 1 [1 ] τ τ L 数载流子寿命及扩散长度降低 。为提高硅太阳 eff b 电池的效率,首先必须对硅材料中具有电活性的杂 式中 S ———材料表面复合速度 ; L ———材料厚度。 质和缺陷进行钝化。近年来 , PECVD 的钝化作用 对于由于扩 P 表面形成发射区的 Si ,有[7 ] : 2J 引起人们广泛的关注 ,它具有低温、高效率成本比等 1 1 oe (Δ ) ( ) τ = τ + 2 n + N A 2 优点 ,并能一次性