电场对ZnCdSe-ZnSe 应变超晶格光致发光的影响 - 发光学报.PDF

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2017-08-12 发布于天津
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电场对ZnCdSe-ZnSe 应变超晶格光致发光的影响 - 发光学报.PDF

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18 4 Vol . 18 , No . 4 199712 CHINESEJOU RNALOFLUM INESCENCE Dec . , 1997 电场对ZnCdSe-ZnSe 应变超晶格光致发光的影响* a) a) 郑著宏　关郑平　张吉英　申德振　范希武 ( , 130021) a) ( , 130021) n= 1- ( D-A) MOCVD Zn0. 85 - . - Cd0. 15Se ZnSe . , . - , , Zn0.85Cd0.15Se ZnSe 1　引　　言 [ 1] , - . , -. [2] , Short 10 ZnSe/ZnCdSe ( ) . Quantum Confined Stark Effect pin Zn0.65Cd0. 35Se-ZnSe [3] . 0. 85 0. 15 - . Zn Cd Se ZnSe 2　实验过程 + - - ZnCdSe ZnSe MOCVD n GaAs . 805 0. 85 0. 15 6 nm Zn Cd Se nm ZnSe , 0. 10. 15 Lm ZnSe . 0. 85 0. 15 Zn Cd Se-ZnSe , ZnSe + Au , n -GaAs In . N2 , SPEXBoxcar . 3　结果和讨论 1 77 0. 85 0. 15 - Zn Cd Se ZnSe . , . s - E ZnSe , ElhhDAP , , Elhh DAP , . , DAP , lhh . E * 4 : ZnCdSe-ZnSe