高场下界面势垒对双层有机器件复合发光的影响! - 物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， #3 % $ % ’)2#3-’2%FLLMN$ = ／ ／ （ ）／ !,5$3$#3% !7$6,4 FICFE8JKBIFKB-BIF !$I/0H2E/M2K’?2 O 高场下界面势垒对双层有机器件复合发光的影响! 杨盛谊 王振家 陈晓红 侯延冰 董金凤 徐叙 （北方交通大学光电子技术研究所，北京 ） !## （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $ ! $% $ $ $% 以高场作用下载流子对三角势垒的’()*+,-’+./*01 隧穿理论为基础，建立了双层有机电致发光器件中载流 子的输运和复合发光模型 计算并讨论了所加电压与界面势垒对器件的复合电流及其复合效率的影响 该理论模 2 2 型很好地解释了实验现象，并进一步证实了电场对复合区域的调制作用2 关键词：有机电致发光，双层器件，界面势垒 ： !## 6%7 是 和 本征发光的组合 可见，器件 :D8,EE F) 2 G 5 ! 引 言 的复合发光是载流子隧穿内界面后在两有机层内的 复合发光，而复合电流应是两有机层内复合电流之 有机电致发光是在电场作用下，从阳极注入的 和 本文正是在此基础上建立了双层器件复合发光 2 空穴和从阴极注入的电子分别隧穿三角势垒进入有 的理论模型，用来描述高场下电荷载流子的输运和 机层中的最高占据分子轨道能级（ ）和最低 复合发光机理 并讨论了电压和界面势垒对器件的 89:9 2 未占据分子轨道能级（ ），形成的电子 空穴对 复合效率的影响2 ;:9 , 发生复合而发光 从电流对数值 与电场倒数 2 )’! = （／ ）有近似线性关系可知，在高场（通常为（— ） ! ! $ 7 @! ! ?1 ）下对三角势垒的隧穿是描述注入过程 的一种很有用的一阶近似方法2 由于场致发光是一个双分子过程，其发光亮度 与电子和空穴浓度的乘积成正比 通常，由于从阴极 2 注入的电子密度与从阳极注入的空穴密度相差悬 殊，在电极接触处有很