p型ZnO薄膜的研究新进展 Recent Research Progress of p-type ZnO Thin Films.pdfVIP

P型ZnO薄膜的研究新进展 李书要。李瑜煜 (广东工业大学材料与能源学院，广州510006) 摘要：ZnO是一种很有前途的宽带隙半导体材料，在光电器件的应用上，实现高质量的p型掺杂是其 关键所在。迄今，已有大量P型掺杂ZnO薄膜的研究报道，但是要获得高质量的可重复的P型ZnO薄 膜却十分困难。本文就P型ZnO薄膜的掺杂必威体育精装版研究进展进行了详细论述，并展望了其制备前景。 关键词：ZnO；p型掺杂；共掺杂 中图分类号：TM205．1文献标志码：A 文章编号：1671—8887(2008)02—0038—05 RecentResearch of ZnOThinFilms ProgressP-type LIShu·yao，LIYu—yu materialand (Departmentof energy，Guangdonguniversityoftechnology， 510006，China) Guangzhou Abstract：ZnOhasbeenconsideredasa wideband material， promising gapsemiconducting whose isthe for devices．To highqualityP-typedoping key developingoptoelectronic has date．the ZnOfilmshasbeenachieved researchers．However，it P·type bymany been to ZnOfilms difficult paper typically preparehigh—qualityP·type reproducibly．This reviewsthedetailandforecastthe trendsof ZnOfilm． preparation P—type Keywords：Zn0；P-typedoping；codoping 1引言 现。但是P型掺杂却十分困难，这主要是因为znO znO作为一种Ⅱ一Ⅵ族直接宽禁带半导体材 中诸多本征施主缺陷会产生高度的自补偿效应，受 料，在光电方面具有优异的性能。室温下的禁带宽 主的固溶度也较低，而且，ZnO受主能级一般都很 度为3．37eV，激子结合能高达60meVⅡj比其他深(n除外)，空穴不易于热激发进入价带，因此，有 效的P型掺杂必须满足下述条件：①较浅的受主能 几种宽禁带发光材料如GaN(25meV)、ZnSe(22 meV)和ZnS(40meV)都高。且比室温热离化能级；②较大的受主掺杂浓度，这样才能对施主缺陷进 (26meV)也高很多。因此，ZnO是一种适用于室温 行有效的补偿。另外，P型ZnO的掺杂元素通常选 或更高温度下的紫外光发射材料。在LEDs和I，Ds 领域有着很大的应用潜力。另外，还可通过元素掺