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2017-07-30 发布于浙江
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固相合成In2O3纳米晶及动力学的研究

第 28 卷　第 5 期稀　有　金　属 2004 年 10 月 Vol. 28 №. 5 　　　　　　　　　　　CHIN ESE J OURNAL OF RARE METAL S 　　　　　　　　　　 Oct. 2004 固相合成 In O 纳米晶及动力学的研究 2 3 张向超 , 杨华明 , 黄承焕 , 杨武国 ( 中南大学资源生物学院无机材料系 , 湖南长沙 410083) ( ) 摘要 : 以 InCl ·4H O 和 NaOH 为原料 , 利用固相反应合成前驱体 , 再经焙烧合成 In O 纳米晶。用 X 射线衍射 XRD 分析了不同焙烧温度对 3 2 2 3 合成 In O 晶粒尺寸的影响。研究结果表明: 按 Scherrer 公式估算合成 In O 纳米晶的晶粒尺寸在20～30 nm , 焙烧温度越高 , 晶粒尺寸越大; 2 3 2 3 ( ) 根据前驱体不同升温速率下的差热 DTA 曲线, 用 Kissinger 和 Ozawa 法计算了合成 In O 纳米晶的活化能分别为 167. 03 和 176. 06 kJ · 2 3 mol - 1 , 差别不大 ; 根据晶粒生长动力学理论计算 In O 晶粒长大的活化能为2. 82 kJ ·mol - 1 , 表明热处理过程 In O 纳米晶粒的长大主要以 2 3 2 3 界面扩散为主。 ( ) 关键词 : 三氧化二铟 In O ; 纳米晶 ; 固相合成; 动力学 ; 活化能 2 3 ( ) 中图分类号: TM27 　　文献标识码 :A 　　文章编号 :0258 - 7076 2004 05 - 0862 - 05 　　金属氧化物 In O 是 n 型半导体材料 , In O 点 , 因此引起了科研工作者的广泛关注 , 目前固相 2 3 2 3 晶胞中含 16 个 In O 分子 , 铟离子构成面心立方反应法在硫化物、铁酸盐、新型合金等纳米晶材料 2 3 格子 , 氧离子占据格子中的四面体间隙位置的 3/ 的合成方面取得了非常好的效果[6～13 ] 。