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300mm硅单晶及抛光片标准 有研半导体材料股份有限公司 孙燕 一、300 mm硅单晶及抛光片现状 300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。 因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。 随着300mm硅单晶及抛光片的诞生，我们也面临一个制定 相应的国家标准的问题。 有研硅股1997年成功拉制了第一根300mm硅单晶。近几年 来一直生产直径230-450mm的硅单晶。2007年生产的300mm硅 抛光片作为陪片已经通过用户的评估测试。并完成了12寸硅 外延主体设备、配套管路及检测设备的调试和外延片的研 制，样品已通过用户的测试。 下面我们给出了WACKER 的产品标准；我们2006年在质量 技术监督局备案的企业标准中对300mm单晶及抛光试验片的 主要技术指标要求；以及我们生产的300mm抛光片送到用 户，用户的测试数据。 2006年备案的企业标准指标 项目 指标 晶向 100±0.5º 掺杂元素 硼 电阻率范围Ω.cm 0.5-20 径向电阻率变化 ≤10％ 氧含量 atoms/cm3 ≤1.1e18 碳含量 atoms/cm3 ≤2.0e16 位错密度 个/ cm3 ≤10 体金属含量（Fe） ≤5.0e10 atoms/cm3 项目 指标 硅片直径及允许偏差mm 300±0.2 硅片厚度及允许偏差 μm 775±20 总厚度变化 μm ≤2 翘曲度 μm ≤50 总平整度 μm ≤1.0 局部平整度(SFQR) μm (25*25) ≤0.13 局部光散射体 ≥0.12μm 100 LLSs ≥0.16μm 50 （个/片） ≥0.2μm 20 表面金属 Cu/Cr/Fe/Ni/Zn ≤1.0e10 atoms/cm2 Al /K/Na/Ca ≤5.0e10 用户评估测试指标 用户评估： 1.对同一根单晶头部、中部和尾部分别切
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