非真空坩埚下降法生长csi(tl)晶体的闪烁性能 scintillation properties of csi(tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition.pdfVIP

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非真空坩埚下降法生长csi(tl)晶体的闪烁性能 scintillation properties of csi(tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition

第 卷 第 期 核电子学与探测技术 26 4 Vol.26 No.4 2006年 7月 Nuclear ElectronicS Detection Technolo Jul 2006 gy y 非真空坩埚下降法生长 ! 晶体的闪烁性能 CSI Tl 任国浩!陈晓峰!薛炫萍!李中波!沈 勇!陆 晟 C 中国科学院上海硅酸盐研究所 上海 201800 摘要#研究了用非真空铂坩埚下降法生长的 C 晶体的在紫外和 射线激发下的光致发光和 CSI Tl 7 光衰减特征 探索了 C 晶体的发光强度和发光不均匀性与 离子含量和分布之间的关系以及改 CSI Tl Tl 善晶体发光均匀性的措施 并对 C 晶体在 射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做 CSI Tl 7 了分析和讨论 实验表明 用这种方法所生长的 C 晶体的发射波长~ 衰减时间和辐照硬度与其他 CSI Tl 方法生长的同类晶体相同 关键词# C 晶体;光输出; 离子; 非均匀性;辐照硬度 CSI Tl Tl 中图分类号# 文献标识码# 文章编号# C TL812.1 A 0258-0934 2006 04-0385-05 C 晶体是公认的杰出闪烁晶体之一 分布 从而大大提高晶体的发光均匀性 提拉出 CSI Tl 由于其光输出达到 C 的 光谱分布 的 C 晶体直径达 以上 重达 NaI Tl 40 CSI Tl 30cm 从蓝光到红光区 发光主峰C 550nm 能与硅光 200kg 三是由乌克兰科学家 ZaSlavSky 发明 电二极管很好地匹配 从而使读出系统大为简 的将金属钛和铝分别掺入 C 熔体中 使

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