干法与湿法腐蚀讲稿.pptVIP

干法腐蚀和湿法腐蚀;目录;腐蚀的定义;栅掩膜的对准 ;栅掩膜的曝光 ;显影、后烘、检查;腐蚀多晶;腐蚀多晶（续）;去胶;工艺流程;腐蚀的术语 ;腐蚀速率 ;腐蚀速率 ;腐蚀均匀性 ;标准偏差的非均匀性 ;最大-最小的均匀性 ;选择比 ;选择比;选择比;Etch Profiles ;Etch Profiles ;负载效应: macro loading;负载效应: micro loading;Micro loading;Profile Micro Loading ;过腐蚀;开始腐蚀工艺 ;主腐蚀的终点 ;过腐蚀之后 ;残留物 ;过腐蚀不充分 ;表面上不挥发的副产物;残留物;湿法腐蚀;湿法腐蚀 ;基本的湿法腐蚀步骤 ;湿法腐蚀;湿法腐蚀的剖面;湿法腐蚀的应用;二氧化硅的湿法腐蚀;Wide Glass Contact ;湿法腐蚀硅和多晶硅 ;氮化硅的湿法腐蚀;铝的湿法腐蚀;影响湿法腐蚀速率的因素;湿法的化学危害性;湿法的化学危害性;湿法腐蚀的优点;湿法腐蚀的缺点;等离子体腐蚀 ;介绍;湿法腐蚀和干法腐蚀的比较 ;等离子体基础;等离子体的组成;电离率;平均自由程 (MFP);平均自由程 (MFP) ;真空和等离子体;离子轰击;离子轰击;离子轰击;离子轰击的应用 ;离子轰击控制;离子轰击控制;自偏压;腐蚀工艺 ;化学腐蚀;物理腐蚀;反应离子腐蚀 (RIE) ;RIE实验 ;三种腐蚀工艺;腐蚀工艺次序 ;Damage Mechanism ;Damage Mechanism ;Blocking mechanism;Blocking Mechanism ;腐蚀机理和它们的应用 ;对腐蚀工艺来说使用等离子体的好处;硅片的冷却;终点;腐蚀终点波长 ;具体的腐蚀工艺介绍 ;等离子体腐蚀的优点;等离子体腐蚀;电介质腐蚀;电介质腐蚀 ;接触孔腐蚀;接触孔腐蚀;接触孔腐蚀 ;电介质腐蚀;F/C比, DC Bias and Polymerization ;通孔腐蚀;腐蚀通孔;电介质腐蚀的概要 ;单晶硅腐蚀;单晶硅腐蚀化学;金属腐蚀;腐蚀金属;金属腐蚀化学 ;干法去胶;干法去胶;干法去胶工艺;总结;SIN 腐蚀 ;孔腐蚀 ;孔腐蚀;平坦化工艺 ;VIA 腐蚀 ;VIA 腐蚀;钝化腐蚀 ;POLY ETCH ;POLY ETCH;METAL ETCH ; RESIDUE CLEAN ;湿法腐蚀工艺;湿法腐蚀 ;湿法腐蚀机理 ;影响湿法腐蚀的因素 ;影响E/R的因素: ;;SIO2腐蚀: ;SI 腐蚀 ;SIN腐蚀 ;AL 腐蚀 ;湿法腐蚀注意事项 ;湿法去胶 ;常见工艺要求和异常（干法腐蚀） ;SIN 残余 ;AL 的后腐蚀 ;过腐蚀 ;残留物 ;糊胶/塌胶 ;颗粒 ;PROFILE 不良 ;去胶不净/残胶 ;湿法腐蚀常见异常;SIO2 ETCH PROCESS ;SIO2 ETCH PROCESS;湿法AL ETCH ;湿法AL ETCH;湿法SIN全剥 ;Thank you!