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浙江省2010年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1.温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将______。 2.半导体有两种导电方式：在外加电场作用下将形成______电流。 3.晶体三极管ICEO的中文含义是______。 4.晶体三极管工作在放大区时具有______作用。 5.MOS管作开关应用时，其工作状态应在截止区和______之间转换。 6.场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被______的工作区。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，______组态输入电阻最低。 8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察v0和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则v0和vi的相位______。 9.某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入______负反馈电路。 10.已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度F为______。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.PN结击穿后，它的反向电流将（ ） A.急剧减小 B.减小 C.几乎不变 D.急剧增大 2.PN结反向工作时，流过的电流主要是（ ） A.扩散电流 B.漂移电流 C.传导电流 D.扩散和漂移电流并存 3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管，各电极电位关系为（ ） A.VCVBVE B.VCVBVE C.VCVEVB D.VCVEVB 4.以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（ ） A.VBR（CEO） B.ICM C.PCM D.β 5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。（ ） A.线性 B.指数律 C.平方律 D.对数律 6.场效应管是一种（ ） A.电压控制器件 B.电流控制器件 C.双极型器件 D.少子工作的器件 7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ） A.10kΩ B.2kΩ C.4kΩ D.3kΩ 8.设单级共射放大电路Avsm=100dB，fH=105Hz，当输入信号频率f=106Hz时，该电路的电压放大倍数约为（ ） A.100dB B.90dB C.80dB D.70dB 9.反馈放大电路的含义是（ ） A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路以外还有信号通路 D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路 10.负反馈放大电路产生自激的条件是（ ） A.（jωo）=1 B.（jωo）=-1 C.（jωo）1 D.（jωo）1 11.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（ ） A.本征半导体 B.N型半导体 C.P型半导体 D.杂质半导体 12.温度减少时，晶体三极管的______将增加。（ ） A.VBE（on） B.β C.ICBO D.ICEO 13.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是（ ） A.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th） B.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th） C.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th） D.VGSVGS（th）,VDSVGS-VGS（th） 14.设计一只单级晶体管放大电路，要求输入电压和输出电压同相，输出电阻很低，应选择（ ） A.共射放大 B.共基放大 C.共集放大 D.共源放大 15.直流负反馈的作用是（ ） A.稳定直流工作点 B.稳定电压放大倍数 C.稳定输出电流 D.稳定输出电压 三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分） 1.图三（1）所示电路中，已知二极管参数VD（on）=0.6V，VDD=1.6V，vs=10sin（ωt）（mv）,试求流过二极管的直流电流IDQ和交流电流id的表达式。 图三（1） 2.电路如图三（2）所示，已知VCC=12V，ICQ=1mA，VCEQ=6V，β=100，VBE（on）=0.7V.求：Rc和Rb的值。 图三（2） 3.已知N沟道MOSFET的μn=1000cm2/V·s,Cox=5×10-9F/cm2,λ=0.01,（W/l）=2,管子工作在饱和区。试求IDQ=2mA时的跨导gm及rds。 四、分析计算题（本大题共5小题，每小题9分，共45分）