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照明级LED芯片技术及其应用简介 潘群峰 三安光电股份有限公司 内容概要 • 大功率LED的发展和现状 • 芯片关键参数的评估 • 大功率LED芯片的合理应用 • LED芯片前沿技术展望 2011-4-28 2 （一）大功率LED的发展和现状 2011-4-28 3 氮化镓(GaN)基LED芯片 Nichia, 1997 Cree, 1997 蓝宝石衬底，水平(正装)结构 碳化硅衬底，垂直(非薄膜)结构 Ni/Au半透明电极 P面出光(p-side up) 大功率LED芯片的发展演变(sapphire) 正装Ni/Au 倒装芯片结构 (Lumileds, 1999年) (Lumileds, 2001年) 正装ITO 垂直薄膜结构 (Elite, 2005年) (Osram, 2004年) 大功率LED芯片的发展演变(SiC) (OSRAM) MegaBright XBright EZBright (Cree) (Cree) (Cree) 倒装芯片 (Flip-chip) Philips Lumileds Luxeon K2 倒装芯片关键技术 p型反射电极系统 倒装焊基板设计 sapphire n-GaN MQW p-GaN P N n+ n+ p-Si submount 倒装芯片关键技术 待倒装芯片 倒装键合机 硅基板 植球机 倒装芯片 (Flip-chip) UEC(2004年) Optotech(2006年) Genesis(2005年) FD(2004年) Sanan(2005年)
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