晶体管的类型.docVIP

晶体三极管的种类 主要参数： 1 电流放大系数 ⑴直流电流放大系数 ⑵交流电流放大系数 ⑶共基极电流放大系数 2 频率特性参数 ⑴共基极截止频率fa ⑵共发射极截止频率fb ⑶特性频率ft ⑷最高振荡频率fm 3极间反向电流 ⑴集电极－基极反向截止电流ICEO ⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO 4极限参数 ⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO） ⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO） ⑶发射极－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO） ⑷集电极最大允许电流ICM ⑸集电极最大允许耗散功率PCM 晶体三极管的种类 1 硅管和锗管（按半导体材料分） 锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。 硅三极管比锗管反向漏电流小，输出特性平直、耐压比较高，温度特性较好。常用型号有：3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。 2 高频管和低频管（按特征频率分） 特征频率fT小于3MHz的为低频管；大于3MHz的为高频管。 目前多用硅材料制成三极管，特征频率一般都大于3MHz，因此高频管和低频管的界线已不那么明显。 3 高、低频小功率管 高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz，功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高，功率不高于1W的放大电路，高频振荡电路。比如在晶体管收录机、收音机、 电视机的高频电路中，可选用高频小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。 低频小功率三极管一般指功率小于1W，特征频率小于3MHz的三极管。主要用于电子设备的功率放大电路、低频放大电路。低功率放大电路用的小功率管一般工作在小信号状态，这样三极管的放大特性近于线性，将三极管等效为线性器件。 如3AX81A, 3AX31 , 3BX31 , DX601等。 型号 PCM (mW) fT （MHz） ICM (mA) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (uA) hFE VBES (V) 外形 结构 min max 3CG14 100 100~200 40 15~30 30 200 TO92 PNP 3CG15 200 100~200 50 1.5~2.5 15~25 0.1 25 270 1 TO92 PNP 3CG21 300 100 50 15~55 30 200 TO92 PNP 3CG562 500 500 40 55 400 TO92 PNP 3CG608 200 150 100 30 40 270 TO92 PNP 3CG673 400 500 35 55 400 TO92 PNP 3CG733 250 150 100 50 55 400 TO92 PNP 型号 PCM (W) fT （MHz） ICM (A) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (mA) VCES (V) hFE 外形 类似型号 Min Max 3DD70A~G 100 9 30~230 5 3.5 20 F-2 3DD8 3DD172A~G 200 1 20 80~600 50~400 3 1.8 15 G-4 型号 PCM (mW) fT (MHz) ICM (mA) V(BR)CBO (V) V(BR)CEO (V) ICEO (uA) hFE VBES (V) 外形 结构 3DG12A~D 500 150~300 100 40~60 30~45 0.5 40 180 0.6 B-3/TO92 NPN 型号 极性 PCM (mW) ICM (mA) V(BR)CEO (V) V(BR)EBO (V) ICBO (uA) ICEO (uA) VCE(sat) hFE fT (MHz) 封装形式 9012 PNP 400 500 25 3.0 0.5 0.5 1.0 64~202 TO-92 9013 NPN 400 500 25 3.0 0.5 0.5 1.0 64~202 TO-92 4 高、低频大功率管 高频大功率管适用于功率放大、开关电路、稳压电路以及无线电通信、无线电广播、电视发送设备的放大电路、功率驱动电路等。如：3CD30A~E 3DC020A~D 3DD12 3DD10