功率二极管训练.pptVIP

;内容提纲;定义：额定电流≥1安培，用于整流工作的二极管。 功率二极管在使用时需计算功耗、结温灯参数，需考虑电流、电压、结温的降额。 ;我公司使用二极管种类： 整流二极管 开关二极管 肖特基二极管 快恢复二极管 快速软恢复二极管;信号二极管：开关二极管： 电流≤200mA 电压≤200V 肖特基二极管： 电流≤200mA 电压≤40V 功率二极管：普通整流二极管：430A/1600V 快恢复二极管：2*120A/1400V 肖特基二极管：60A/100V;封装：表面贴装 SOT23 SMA、SMB、SMC DPAK、D2PAK、D3PAK 插装 DO-35、DO-41 TO-220、TO-247 螺栓封装 SOT-227 ;三、几种二极管的主要区别;;;;瞬态热阻：;;;六、肖特基二极管的主要参数;2，动态参数 dv/dt：反向承受的最大电压上升率 CJ：肖特基二极管的结电容;;2，温度与二极管的正向电流的关系： 温度上升，通过电流能力下降。;3，正向压降与温度关系： 温度上升，正向压降降低。;4，温度与关断特性 温度升高，反向恢复电流增大，恢复时间、恢复电荷变大。 ;5，di/dt与关断特性;6，di/dt、正向电流与恢复时间;7，di/dt与开通特性;8，肖特基结电容：SCHOTTKY结电容由芯片面积和厚度决定，并与工作电压有关：反压增大，结电容减小。 ;9，不同型号之间关系： 同一系列：反压级别高，压降大 恢复时间短，压降大 肖特基结温级别高，压降大；反向耐压级别高，结温级别高。 ;八，二极管参数对电路的影响;2：二极管在恢复时间ta期间，完全丧失阻断能力，在tb期间逐渐恢复阻断能力，恢复期间增加开关管（IGBT、MOSFET）功耗，增加二极管本身功耗。 ;3，恢复期间的瞬时电流尖峰产生电磁干扰（EMI） 4，在恢复时间tb段，二极管两端产生过电压，导致开关管误导通或器件损坏。 恢复期间二极管两端产生额外电压尖峰： VRM=VR+L*dir/dt;九，功率二极管参数的测量;各种封装器件温度测试点的选取;十，二极管参数降额;2，电流降额 二极管在使用时要对正向电流在相应壳温允许的最大电流进一步降额。 DIF=[IFAV/IFAVM]*[(TJM-TC)/(TJM-TCU)]*100% 当二极管并联使用时，正向电流在上述降额的基础上，再降额10-20％ ;3，结温降额 二极管实际工作的结温必须低于最高结温，实际结温与最高结温的百分比为结温降额。 实际工作结温：TJ=TCU+PD*Rthjc 结温降额为：DTJ=TJ/TJM%100% ;十一，功率二极管损耗计算;1，开通损耗：发生在二极管 由反向阻断到正向开通的 转换中。 开通损耗与芯片温度、结 构工艺及di/dt有关： EON=0.5×VFR×IF×tfr PON = EON ×FT;2，导通损耗：导通损耗发生在 正向导通其间，损耗大小与 芯片结温、电流大小及芯片 技术有关。 VF=rT×IF+VT0 PF=(VT0×IF+rT×IF2 )×D;3，关断损耗：关断损耗发生 在二极管由导通到反向截 止的转换瞬间： EOFF=IRR×VR×Trb×0.5 POFF = EOFF ×FT;4，阻断损耗：阻断损耗是二极管在反向阻断期间 由漏电流形成的损耗： PB=VR×IRM×D;十二，常见的失效原因;2，过热损坏：二极管长时间工作在较大功耗条件下，特性退化直至烧毁，芯片上有大面积???伤，甚至器件封装遭到破坏。;;2，使用要求 1