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29 5 Vol. 29 No. 5 2008 5 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS May, 2008 08m BCD 20W 2 D * 1, 2, 1, 2 1, 2 1 1 刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过 伟 史 斌 ( 1 , 710071) ( 2 , 710071) : 08m BCD 20W 2 . 18V 8 20W , 85% . , MOSFET . D . : D ; ; ; EEACC: 2570 : TN 32 : A : 0253 177( 2008) D 1 ( 1 ) . V inp V inn , , LDM OSFET, , D H . ( AB ) , , , ( OCP) ( OTP) . . D H !, , D ( deadtime) , [ 1] [ 3] . , D . , 80% , H , , . . , D , [ 1, 2] , . , [ 3] D . . 2.2 D BCD 2 CMOS 2. 1 D ( PWM) : , , , PWM ( level shif ter) , MOSFET, LC . MOSFET , , , D 1 D [ 2] Fig . 1 Diagram of the circuit of classD power amplif ier . * ( : 60 760 6, ( : 20050701015) ( : 60725 15) . Em ail: lxliu@ mail. xidian. edu. cn , 2007121 2008 5 : 08m BCD 20W 2 D 989 2 nLDMOSFET Fig. 2 Cross section of an nLDMOSFET M OSFET , , . MOSFET , ,
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