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电子技术基础(模拟部分)5版 康华光 3.2.1 在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5m vD n V A时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i I (e T 1) ,其中n=1 ,V =26 D S T mV 。 vD n V 解:将已知参数代入二极管指数模型iD I S (e T 1) 得 vD 0.5 103 A 1109 A(e10.026V 1) v 0.34V D 3.4.2 电路如图题3.4.2所示,电源v 为正弦波电压,试绘出负载R 两端的电压波形,设 s L 二极管是理想的。 图题3.4.2 图解3.4.2 解:由于二极管是理想的,所以无正向导通压降。根据二极管的单向导电性,v 0 s 时,D 、D 导通,v =v ;v 0时,D 、D 导通,v = -v 。故v 波形如图解3.4.2所示。 2 4 L s s 1 3 L s L 3.4.3 电路如图题3.4.3所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 V 的值(V =0.7V);(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求v o D o 的变化范围。 电子技术基础(模拟部分)5版 康华光 图题3.4.3 图解3.4.3 解:(1)求二极管的电流和电压 V 2v (10 2 0.7)V 3 I DD D 8.6 10 A 8.6mA D 3 R 110 V 2V 2 0.7V 1.4V O D (2)求v 的变化范围 o 图题3.4.3的小信号模型等效电路如图解3.4.3所示,温度T =300 K。 V 26m V r T
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