多层平坦化互连技术.pdfVIP

第 37 卷　第 5 期　2000 年 10 月 　　　　　　半导体情报 33 多层平坦化互连技术 廉亚光　郝景臣　张豫黔 ( 电子十三所, 石家庄　050051) 摘要　阐述了实现多层平面互连结构的方法, 对该技术中的三个主要方面——介质隔离 度、小于 2 0m ×2 0m 互连孔和 50nm 之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果 表明, 该技术稳定可靠, 是改善互连质量的可行方法, 并已用在实际电路的制造工艺中。 关键词　平面化　隔离度　孔　接触电阻 中图分类号: TN 405 97　文献标识码: A 　文章编号:(2000) 53304 - The Technology of M ulti Layer Fla tting Connection , , L ian Yaguang H ao J ingchen Zhang Yuqian (T he 13th E lectronic R esearch Institu te , S h ij iaz huang 050051) 　 . Abstract T h is paper describes how to structu re the m u lti layer flatting connection T he : 、 2 0 m ain aspects of the connection the iso late strength of dielectric the ho le of less than ×2 0 2 50 . m and the flat w ith the up and dow n su rface w ith in nm are analyzed T he test show s that th is techn ique is a stab le, reliab le m ethod to im p rove the quality of connection. It has been u sed in GaA s IC fab rication. Keywords　F latness　Iso late strength　Ho le　Con tact resistance 积为 3m ×3m 。而“九五”时的 10000 门砷化 1　引　言 镓门阵列的互连层数为 3 层, 孔最小面积为 随着 GaA s 集成电路规模的不断提高, 互 16m ×16m 。由此看来, 随着集成度的提 连工艺在整个电路的制造工艺中所占的分量越 高, 互连层数不但增加, 而且孔的面积也大为减 来越大, 对我们现在常用的凹槽栅工艺来说, 从 少, 互连工艺就成了制约电路成品率和质量的 光刻的角度来看, 若采用 结构, 一次互连, 关键因素。 E D 光刻的步数为七步, 其中互连光刻两步;