光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究 - 计量学报.pdfVIP

第３２卷　第４期 计　　　 量　　　学　　　报 　 Ｖｏｌ．３２，№４ ２０１１年　７月 ＡＣＴＡ　ＭＥＴＲＯＬＯＧＩＣＡ　ＳＩＮＩＣＡ 　 Ｊｕｌｙ，２０１１ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００１１５８．２０１１．０４．２０ 光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究 １ １ ２ １ １ １ 刘文德 ，　陈　赤 ，　陈　熙 ，　于　靖 ，　郑春弟 ，　王　煜 （１中国计量科学研究院，北京 １０００１３； ２中国科学院 半导体研究所纳米光电子实验室，北京 １０００８３） 摘要：利用相调制型光谱椭偏仪研究了光刻胶光学常数的测量方法，针对测量过程中光刻胶曝光控制优化了 测量方案和仪器参数。对常见的Ｓ９９１２正型光刻胶，给出了曝光前后２７５～６５０ｎｍ波段的光学常数。并采用动态 椭偏法测量了所需波长下曝光前的光学常数。实验结果表明：该测量方法适用于光刻胶在紫外可见红外宽波段 的光学性质研究，在光刻模拟、新型光刻胶材料研制及其光学性质表征等领域有重要实用价值。 关键词：计量学；光刻胶；曝光；光学常数；光谱椭偏法 中图分类号：ＴＢ９６　　　　文献标识码：Ａ　　　　文章编号：１０００１１５８（２０１１）０４０３８１０４ ＳｔｕｄｙｏｎＭｅａｓｕｒｉｎｇＭｅｔｈｏｄｏｆＯｐｔｉｃａｌＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆ ＰｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｂｙＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＥｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ １ １ ２ １ １ １ ＬＩＵＷｅｎｄｅ，　ＣＨＥＮＣｈｉ，　ＣＨＥＮＸｉ，　ＹＵＪｉｎｇ，　ＺＨＥＮＧＣｈｕｎｄｉ，　ＷＡＮＧＹｕ （１ＮａｔｉｏｎａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１３，Ｃｈｉｎａ； ２ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＮａｎｏＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂｙｍｅａｎｓｏｆｐｈａｓｅｍｏｄｕｌａｔｅｄｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ，ｔｈｅｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍｅａｓｕｒｉｎｇｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｓｔａｎｔｓｏｆｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｓ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄＴｈｅｔｅｓｔｓｃｈｅｍｅａｎｄｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓｆｏｒｔｅｓｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｏｆｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔａｒｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄＦｏｒｃｏｍｍｏｎｌｙｕｓｅｄ ｐｏｓｉｔｉｖｅＳ９９１２ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ，ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｓｔａｎｔｓｆｏｒ２７５～６５０ｎｍｂｅｆｏｒｅ／ａｆｔｅｒｔｈｅｅｘｐｏｓｕｒｅａｒｅｍｅａｓｕｒｅｄ，ａｎｄｔｈｅｄｙｎａｍｉｃ ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙｉｓｕｓｅｄｔｏｏｂｔａｉｎｔｈｅｖａｌｕｅｓｂｅｆｏｒｅｔｈｅｅｘｐｏｓｕｒｅａｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｓｏｆｉｎｔｅｒｅｓｔＴｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅ：ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄｐｒｏｖｉｄｅｄｉｓａｐｐｌｉｃａｂｌｅｆｏｒｔｈｅｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｎＵＶＶＩＳＮＩＲｓｐｅｃｔｒａｌｒａｎｇｅａｎｄｍａｙｆｉｎｄｉｍｐｏｒｔａｎｔ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔａｎｄｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｎｅｗｔｙｐｅｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ；Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；Ｅｘｐｏｓｕｒｅ；Ｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｓｔａｎｔｓ；Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃｅ