光刻胶成膜树脂的研究进展_冯波.pdfVIP

学 术 论 文 ACADEMIC PAPER 综述 收稿日期：2014-12-22 作者简介：冯波（1988-），男，硕士研究生，研究方向：光刻胶的研发与制备。E-mail：294108320@。 光刻胶成膜树脂 的研 究进展 冯 波 ，艾 照全 ，朱 超 ，宋梦瑶 研 （有机功能分子合成与应用教育部重点实验室 ，湖北大学化学化工学院 ，湖北 武汉 430062 ） 究 报 摘要 ：光刻胶是 集成 电路 和分立器件 的基础 工艺材料 ，主体成膜树脂是光刻胶 的重要 组分之一 ，不 同的 告 及 成膜树脂对光刻胶 的性 能有不 同影响 。主要 综述 了光刻胶 的分类 ，影响光刻胶成膜树脂性 能的 因素 ，成膜树 专 脂的发展 ，及光刻胶 的主要技 术参数 。 论 关键词 ：光刻胶 ；单体 ；成膜树脂 ；光敏度 ；化 学放 大光刻胶 ；有效含碳 量 + TQ 77 3 5 A 100 1 922 （20 1 ）02 0078 04 中图分类号 ： . 文献标识码 ： 文章编号 ： - - - [ 1] 综 光 刻 （photoresisit） 又称 光 致抗 蚀 剂 ，是 一 性好 、去 方便 、 台阶覆 盖度 好 、对 比度 好 的特 点 ， 述 种 感 光性 高 分子材 料 ，对 光和 射 线 的灵敏度 高 ，经 紫 但 粘 附性和 机械 强度 较 差 且成 本较 高 。鉴 于 它 的高 分 外光 、 电子束 、准 分子激 光束 、离子束 、X射 线等 的照 辨 率 ，所 以广 泛应 用 在0 .8～ 1.2 μm、0 .5～0 .6 μm及 射 或辐 射后,能 发 生光化 学反应 ，使 曝光前后 膜 溶解 0 .35 μm集成 电路 的微细加工上。 性 质 发 生 变 化 ， 由此 可 分 为 正 性 光 刻 和 负 性 光 刻 1.2 根据光刻胶能形成 图形 的最小尺寸不 同分类 [5 ] 。光 刻 主 要应 用在 集成 电路和 半 导体 分 立器 件 的 传 统 光 刻 （Convent iona l photoresist ） ：因 特 细微 图加 工 上 ，近年来 也逐 步应 用 于 光 电子领 域 平板 光化 学 上 的衍 射 、反 射 （散 射 ）造成 其 分辨率 不 高 ， 约 专 显 示 （FPD ）的制 作 。 将 其 涂 布 在 印 刷 线 路 板 适 用 于 I线 （365 nm ）、H线 （405 nm ）、G线 （436 栏 [2 ]