一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文).pdfVIP

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2017-07-27 发布于湖北
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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文).pdf

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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文)

　第 23 卷第 10 期半　导　体　学　报 Vol. 23 ,No. 10 　2002 年 10 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Oct. , 2002 Simulation of a Novel Schottky BodyContacted Structure Suppressing Floating Body Effect in PartiallyDepleted SOI nMOSFET’s Liu Yunlong , Liu Xinyu , Han Zhengsheng , Hai Chaohe and Qian He ( ) Microelectronics RD Center , The Chinese Academy of Sciences , Beijing 　100029, China Abstract : A novel Schottky bodycontacted structure for partially depleted SOI nMOSFET’s is presented. This structure can be re + alized by forming a shallow n p junction and two sidewall spacers in the source region ,and then growing a thick silicide film , which can punch through the shallow junction and make a Schottky contact to the ptype silicon. Simulation results show that the anomalous subthreshold slope and kink effects are suppressed successfully and the drain breakdown voltage is improved consider ably. This method has the same device area and is completely compatible with the bulk MOSFET process. Key words : SOI; nMOSFET; floating body effect ; body contact EEACC : 2570D ; 2570F ( ) CLC number : TN386 　　　Document code : A 　　　Article ID : 2002