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半导体材质和二极体Semiconductor Materials and Diodes
* * Semiconductor Materials and Diodes Semiconductor materials and properties Intrinsic Semiconductors Elemental semiconductors Silicon (Si) 元素型半導體(矽) Compound semiconductors Gallium Arsenide (GaAs) 複合型半導體(砷化鎵) 半導體材質和二極體 半導體材質的特質 本質半導體 在 , 沒有共價鍵被打開,矽 晶體有如絕緣體 半導體材質和二極體 當溫度升高有共價鍵被破壞,因此產生電子與電洞。 半導體材質和二極體 Extrinsic Semiconductors (Donor Impurity ) N-type Semiconductors 外質半導體(施體雜質) (N型半導體) 半導體材質和二極體 Extrinsic Semiconductors (Acceptor Impurity ) P-type Semiconductors 外質半導體(受體雜質) (P型半導體) 半導體材質和二極體 Electron and Hole Concentrations N-type: nO = ND(the donor concentration)電子濃度等於施體雜質濃度 電洞濃度等於 p-type: pO = NA(the acceptor concentration)電洞濃度等於受體雜質濃度 電子濃度等於 熱平衡下電子電洞的乘積為定值 (N型半導體中) (P型半導體中) 半導體材質和二極體 Semiconductor Materials and Diodes Drift Currents 漂移電流密度(J=I/A) Semiconductor Materials and Diodes Diffusion Currents 擴散電流 P-N Junctions(PN接面) (掺雜濃度) (電洞濃度) (電子濃度) 半導體材質和二極體 Built-in Potential(內建電壓) 半導體材質和二極體 Reverse Bias(逆向反偏) 半導體材質和二極體 Forward Biased (順向偏壓) 半導體材質和二極體 Current-Voltage Characteristics(電壓電流特性曲線) 半導體材質和二極體 Semiconductor Materials and Diodes Circuit Symbol (二極體元件符號) Ideal Diode Model(理想二極體模型) 半導體材質和二極體 Circuit Analysis 半導體材質和二極體
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