DG7N50 产品概述General Description 主要参数MAIN.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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DG7N50 产品概述General Description 主要参数MAIN

江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics TechnologyCo.,Ltd DG7N50 N沟道增强型场效应晶体管版本号 N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 201603-A 产品概述 General Description DG7N50是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东晨电子的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该产品能应用于多种功率开关电路，使得电源能效更高，系统更加小型化。 DG7N50isanN-channelenhancementmodeMOSFET,which isproduced usingDongchen Electronics’s proprietary.Theself-alignedplanarprocess andimproved terminaltechnology reducetheconduction loss,improve switchingperformanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbe used invarious power switching circuitfor higherefficiency andsystemminiaturization. 符号 Symbol 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS VDSS 500 V ID 7 A RDS(ON) 1.0 Ω Crss 13 pF 封装 Package 86-510 1 /11 江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics TechnologyCo.,Ltd 绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃) 参数名称符号数值单位 Parameter Symbol Value Unit 漏极-源极直流电压 VDSS 500 V Drain-SourceVoltage 连续漏极电流 Tc=25℃ 7* ID A ContinuesDrainCurrent Tc=10