20GHz 宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器 - 电子学报.PDF

第 5 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 35 　No . 5 　2007 年 5 月 ACTA ELECTRONICA SINICA May 　2007 　 20 GHz 宽带 GaAs PHEMT 分布式前置放大器 1 ,2 2 3 3 3 3 1 焦世龙 ,陈堂胜 ,蒋幼泉 ,钱 　峰 ,李拂晓 ,邵 　凯 ,叶玉堂 ( 1 电子科技大学光电信息学院 , 四川成都 610054 ; 2 单片集成电路与模块 国家级重点实验室 ,江苏南京 210016 ; 3 南京电子器件研究所 ,江苏南京 210016) μ 　　摘 　要 : 　采用 0 . 5 m GaAs PHEMT 工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器. 该放大器 - 3dB 带宽接近 Ω ( ) 20 GHz ,跨阻增益约 46dB ;在 50MHz～16 GHz 范围内,输入 、输出电压驻波比 VSWR 均小于 2 ;带内噪声系数在 303～ ( ) ( ) 65dB 之间 ,平均等效输入噪声电流密度约为 146pA/ Hz ;在输入 10 Gb/ s 非归零 NRZ 伪随机二进制序列 PRBS 信 号下 ,放大器输出眼图清晰 ,具有 12p s 的定时抖动和 166mV 峰峰电压. 关键词 : 　GaAs PHEMT ; 分布放大器 ; 带宽 ; 噪声系数 ; 眼图 中图分类号 : 　TN7223 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2007) 20 GHz Bro a dband GaAs PHEMT Di stribute d Pre amplifier 1 ,2 2 3 3 3 3 1 J IAO Shilong ,CHEN Tangsheng ,J IAN G Youquan ,QIAN Feng ,L I Fuxiao ,SHAO Kai ,YE Yutang ( 1School of Optoelectronic Inf ormation , University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu , Sichuan 610054 , China ; 2N ational Key L aboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules , N anj ing , J iangsu 210016 , China ; 3N anj ing Electronic Devices Institute , N anj