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电路原理第4周作业答案
清华大学电路原理教学组 第4 次作业 1. 用2 个n 沟道MOSFET 、2 个p 沟道MOSFET 和电源来构成不消耗静态功率的NAND 门。 解： B A Y A B 当A= “0 ”，B= “0 ”时，等效电路如图(a)所示。两个P 沟道MOSFET 导通，输入为B 的N 沟道MOSFET 截止，输入为A 的N 沟道MOSFET 状态不能确定。输出Y = “1”，没 有静态功耗。 RonP RonP RonP RonP Y Y Y Y RonN RonN RonN (a) (b) (c) (d) 清华大学电路原理教学组 当A= “0 ”，B= “1”时，等效电路如图(b)所示。输出Y = “1”，没有静态功耗。 当A= “1”，B= “0 ”时，等效电路如图(c)所示。输入为A 的N 沟道MOSFET 状态不 能确定。输出Y = “1”，没有静态功耗。 当A= “1”，B= “1”时，等效电路如图(b)所示。输出Y = “0 ”，没有静态功耗。 由上述逻辑关系可得Y AB 2. X 、X 、X 为逻辑输入信号，输出为Y，U = “1” 。(a) 写出该门电路的输入输出真值表， 1 2 3 S 要求利用MOSFET 的SR 模型，画出其中X =“1”、X =“0” 、X =“1” 时的等效电路；（2 ）根 1 2 3 据真值表，写出逻辑表达式，无需化简。 解：列出图示逻辑电路的真值表如下。 X1 X2 X3 Y 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 X 1 = “1”，X2 = “0 ”，X 3 = “1”的等效电路如下图所示。
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