刘振淮 铸锭多晶硅晶体质量的演变规律-7th CSPV.pdfVIP

7th CSPV 杭州 铸锭多晶硅晶体质量的演变规律铸锭多晶硅晶体质量的演变规律 刘振淮刘振淮 July ，2011 常州天合光能常州天合光能 光伏科学与技术国家重点实验室 11. 背景背景((BackgroBackgroundnd)) 22. 实验方法和设计实验方法和设计((ExperimentExperiment designdesign)) 33. 实验数据分析实验数据分析((ExperimentExperiment datadata analysis)analysis) 4. 结论结论((Conclusion)) 背景铸锭多晶硅的特征 CZ-Si mc-Si Sample Eff%* Dislocation density/cm2 Fe impurity /cm3 CZ-Si 18%~19.5% 103 3E11~1.7E15 33 99 McMc-SiSi 1616.5%5%~ 18%18% 1010 ~ 1010 6E146E14~11.5E165E16 3 *行业内报道结果 背景微缺陷与电池性能关系 杂质与缺陷的存在显著 降低电池效率降低电池效率！！ B. Sopori, P. Rupnowski, V. Mehta, etc, National Renewable Energy Laboratory (USA(USA 2009)2009) 4 背景微缺陷研究现状 杨德仁杨德仁 教授授 团队团 太阳能学报，2006，27（4）365 Phys. Stat. Sol. (a) 171, 1999,175, 分别在分别在900900℃℃和和400400℃℃ 引入引入Cu/FeCu/Fe沾污沾污 PhysicaPhysica B,B, 2004,2004, 344,344, 11 的铸造多晶硅中晶界的SE、EBSD和 Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27, 2004, 119 EBIC图像