化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究!.pdfVIP

第４０卷 第２期 电 子 器 件 Ｖｏｌ４０　 Ｎｏ２ ２０１７年４ 月 ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ａｐｒ. ２０１７ Ｔｈｅ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ Ｆａｃｔｏｒｓ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ∗ ＣＨＥＮ ＣｈｅｎｇꎬＨＯＮＧ Ｗｅｉ∗ (Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ Ｏｐｔｉｃａｌ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＮａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｊｉｎｇ ２１００９４ꎬＣｈｉｎａ) Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｗｅ ｓｔｕｄｉｅｄ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ａｎｄ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙꎬｗｈｉｃｈ ｍｅａｓｕｒｅｄ ｂｙ ＵＶ￣ｖｉｓｉｂｌｅ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ.Ｔｈｅｄｅｎｓｉｔｙｏｆ ａｌｋａｌｉｎｅꎬｔｈｅｃｏｒｒｏｓｉｏｎｔｉｍｅꎬｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｙｐｅｓｏｆ ａｄｄｉｔｉｖｅｓꎬａｎｄｔｈｅａｄｄｉｔｉｖｅｃｏｎｃｅｎ￣ ｔｒａｔｉｏｎ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄ. Ａｓ ａ ｒｅｓｕｌｔꎬｔｏ ｏｂｔａｉｎ ｌｏｗｅｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙꎬｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ａｌｋａｌｉ ａｎｄ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｔｉｍｅ ｐｌａｙ ａ ｄｅｃｉｓｉｖｅ ｒｏｌｅ.Ｔｈｅ ｌｏｗ ａｖｅｒａｇｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙꎬｇｏｏｄ ｒｅｐｅａｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｉｄｅａｌ ｒｅｄｕｃｉｎｇ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｆｌｕｉｄ ｃａｎ ｂｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ. Ｉｎ ｔｈｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｔｈａｔ ａｔ ８０ ℃ꎬｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ＮａＯＨ ｉｓ １５ ｇ/ ＬꎬＡｎｈｙｄｒｏｕｓ ｅｔｈａｎｏｌ ｖｏｌｕｍｅ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ １０％ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｔｉｍｅ ｉｓ３０ ｍｉｎꎬｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ １１.１５％ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｎ ｂｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ . Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ａｌｋａｌｉｎｅ ｃｏｒｒｏｓｉｏｎꎻｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙꎻａｎｔｉ￣ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎻｅｔｃｈｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎ － ＥＥＡＣＣ:２５５０Ｇ　 　 　 　 ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１００５ ９４９０.２０１７.０２.００２ 化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究∗ 陈　 程ꎬ洪　 玮∗ (南京理工大学电子工程与光电技术学院微纳研究所ꎬ南京 ２１００９４) 摘　 要:单晶硅片在碱溶液中的腐蚀会引起表面结构的变化ꎬ利用紫外可见分光光度计测量硅片表面反射率ꎬ发现碱溶液的 浓度、腐蚀时间、添加剂的选择(无水乙醇或异丙醇)以及添加剂的浓度均对硅片表面反射率有影响ꎮ 比较几个因素发现碱溶 液的浓度和腐蚀时间对硅片表面反射率影响最大ꎮ 当腐蚀温度为８０ ℃ꎬＮａＯＨ 固体浓度为１５ ｇ/ Ｌꎬ添加剂无水乙醇体积分数 １０％时ꎬ腐蚀３０ ｍｉｎ得到硅片反射率最低ꎬ达到１１.１５％ꎮ 关键词:碱腐蚀ꎻ反射率ꎻ减反结构ꎻ腐蚀液 － － － 中图分类号:ＴＭ９１４　 　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 　 文章编号:１００５ ９４９０(２０１７)０２ ０２７２ ０４ 　 　 随着光电探测器和太阳能电池的广泛应用ꎬ硅片 备ꎮ 如Ｖａｚｓｏｎｙｉ Ｅ 等人对 ＮａＯＨ 溶液中以异丙醇 [１] [２] (ＩＰＡ)作为添加剂进行了系统研究ꎬ