DS18B20温度与单片机读写.docVIP

DS18B20温度传感器 DS18B20数字温度传感器,接线方便，封装成后可应用于多种场合。 1: 技术性能描述　　 1.1 独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。　　 1.2 测温范围 －55℃～+125℃，固有测温分辨率0.5℃。　　 1.3 因为每个DS18B20在出厂时已经给定了唯一的序列号，所以支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，最多只能并联8个，实现多点测温，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定。　　 1.4 工作电源: 3~5V/DC　　 1.5 在使用中不需要任何外围元件　　 1.6 测量结果以9~12位数字量方式串行传送 温度计算：DS18B20用9位存储温度，最高位位符号位，下图位DS18B20的温度存储方式： 时序 因为 DS18B20采用的时独特的单线接口方式，因此时序的使用起着至关重要的作用， 初始化（复位） 单片机t0时刻发送一复位脉冲(最短为480us的低电平信号，接着在tl时刻释放总线并进入接收状态，DS18B20 在检测到总线的上升沿之后，等待15-60us，接着DS18B20在t2时刻发出存在脉冲(低电平持续60-240us)，如图中虚线所示。 换句话说如果t2~t3之间信号电平如果为低，则说明DS18B20复位成功；否则失败。 程序： void DS18b20_reset(void) //初始化 { bit flag=1; while (flag) { while (flag) { DQ = 1; //释放总线 delay(1); DQ = 0; //拉低时序 delay(50); // 550us DQ = 1; delay(6); // 66us flag = DQ; } delay(45); //延时500us，电平为低，初始化成功，否则失败 flag = ~DQ; } DQ=1; } （2）写操作 当单片机将总线t0时刻从高拉至低电平时，就产生写时间隙。见下图，从t0时刻开始 15us之内应将所需写的位送到总线上。DS18B20在t0后15-60us间对总线采样，若低电平写入的位是0；若高电平，写入的位是1。连续写2位间的间隙应大于1us。 程序： void write_byte(uint8 val) { uint8 i; for (i=0; i8; i++) //写入八位数据 { DQ = 1; //释放总线 _nop_(); //等待 DQ = 0; //拉低电平 nops(); //4us DQ = val 0x01; //最低位移出 delay(6); //66us，准备写下一位 val = 1; //右移一位 } DQ = 1; delay(1); } 读操作 当单片机将总线t0时刻从高拉至低电平时，总线只须保持低电平4us之后，在t1时刻将总线拉高，产生读时间隙，读时间在t1时刻后t2时刻前有效，t2距t0为15us，也就是说，t2时刻前主机必须完成读位 并在t0后的60us~120us内释放总线。 程序： uint8 read_byte(void) { uint8 i, value=0; for (i=0; i8; i++) { DQ=1; _nop_(); value = 1; DQ = 0; nops(); //4us DQ = 1; nops(); //4us if (DQ) value|=0x80; delay(6); //66us } DQ=1; return(value); } 读取温度 五个步骤： 1、复位DS18B20 2、发出Skip ROM命令(CCH) 3、发出Read命令(BEH) 4、读两字节的温度 5、温度格式转换 int16 read_temp(void) { uint8 temp_data[2]; // 读出温度暂放 int16 temp; DS18b20_reset(); // 复位 write_byte(0xCC); // 发Skip ROM命令 write_byte(0xBE); // 发读命令 temp_data[0]=read_byte(); //温度低8位 temp_data[1]=read_byte(); //温度高8位 temp = temp_