一种用于LDO 的低功耗带隙基准电压源 - 太赫兹科学与电子信息学报.PDF

第 12 卷 第 5 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．12，No．5 2014 年 10 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Oct．，2014 文章编号：2095-4980(2014)05-0767-04 一种用于 LDO 的低功耗带隙基准电压源 段杰斌 1,2 ，罗志国 1,2 ，刘孟良 1,2 ，谢 亮 1,2 ，金湘亮 1,2* (1.湘潭大学 材料与光电物理学院，湖南 湘潭 411105 ；2.微光电与系统集成湖南省工程实验室，湖南 湘潭 411105) 摘 要 ：设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO) 的低功耗带隙基准电压源电路。一方面， 通过将电路中运放的输入对管偏置在亚阈值区，大大降低了运放的功耗；另一方面，采用零功耗 的启动电路，进一步降低了整体电路的功耗。该基准电压源采用旺宏 0.35 μm CMOS 工艺流片，经 测试，基准输出电压的温度系数为 33 ppm/℃ ，总电流消耗仅为 12 μA 。 关键词 ：带隙基准电压源；亚阈值；低功耗；低压差线性稳压器 中图分类号 ：TN74 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201405.0767 A low power bandgap voltage reference for Low Dropout Regulator 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 * DUAN Jie-bin ，LUO Zhi-guo ，LIU Meng-liang ，XIE Liang ，JIN Xiang-liang (1.Faculty of Materials，Optoelectronics and Physics，Xiangtan University，Xiangtan Hunan 411105，China； 2.Hunan Engineering Laboratory for Microelectronics，Optoelectronics and System on A Chip，Xiangtan Hunan 411105，China) Abstract：A low power bandgap voltage reference circuit for Low Dropout Regulator(LDO) is proposed. The power consumption is effectively decreased by setting the differential input pair of the amplifier into sub-threshold region and by using a zero power start -up circuit. The bandgap voltage reference circuit is implemented by MIXIC ’s 0.35 μm CMOS process. The results indicate that the temperature coefficient of the output voltage is 33 ppm/℃, and the total current consumption is 12 μA only. Key words： bandgap voltage reference；sub-threshold；low power；Low Dropout