Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究 - 周口师范学院学报.PDF

第 卷 第 期 周口师范学院学报 年 月 32 2 2015 3 Vol.32No.2 JournalofZhoukouNormalUniversit Mar.2015 y Mn掺杂 GaAs稀磁半导体的第一性原理研究 1 1 1 1 2 3 , , , , , 张云丽 杨建国 朱自强 周小东 巫洪章 谭明秋 ( , ; 周口师范学院 物理与机电工程学院 河南 周口 1. 466001 , ; 周口师范学院 稀土功能材料及应用重点实验室 河南 周口 2. 466001 , ) 浙江大学 物理系 浙江 杭州 3. 310007 : , , 摘 要 稀磁半导体因兼有半导体及金属共同特性 在电子器件和磁性方面有着广泛应用 因此 无论从理论 . 还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义 本文基于第一性原理计算研究了 掺杂 稀磁半导体的 . Mn GaAs 、 、 , , ; , 稳定结构 磁序特点 磁性来源及电子结构 首先 计算研究了 的电子结构 证实其半导体特点 其次 研 . GaAs ( ) , 究发现了铁磁 FM 构型为Mn掺杂的 GaAs体系的最稳定构型 并且基于该稳定构型进一步研究发现 Mn ; , 掺杂GaAs的磁性主要来源于Mn原子 最后 研究发现 Mn掺杂 GaAs体系的电子结构具有稀磁半导体特 , 性 并基于此展望了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景. : ; ; ; 关键词 稀磁半导体 第一性原理 电子结构 磁性质 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O472 A 1671 9476201502 0049 04 : / DOI10.13450 .cnki.zknu.2015.02.015 j j 稀磁半导体(