InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作 - 光子学报.PDF

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InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作 - 光子学报

第 卷第 期 光 子 学 报 41 3       Vol.41No.3 年 月              2012 3 ACTAPHOTONICASINICA March2012 : / 犱狅犻10.3788 zx0299 g 基 多模干涉耦合器的设计与制作 InP 1×4 12 1 2 1 1 1 马丽 ,朱洪亮 ,陈明华 ,张灿 ,王宝军 ,边静 ( 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京 ) 1 100083 ( 清华大学 电子工程系,北京 ) 2 100084 摘 要:在密集波分复用系统中,多波长DFB激光器阵列与多模干涉耦合器集成光源器件具有重   要的应用前景 为了研制多波长集成光源中的宽带可用低损耗光耦合器,利用三维有限差分光束传 . 播法仿真设计了一种具有强限制作用的 / 材料的多模干涉型耦合器 输入/输出端波 InPInGaAsP . 导均采用楔形结构以降低多模干涉型耦合器的插入损耗,提高各个输出端口的出光平衡度 根据仿 . 真结果,结合波导芯层为采用外延生长设备,采用反应离子刻蚀工艺制作了 乘 多模干涉型耦 1× 4 合器 利用自动对准波导耦合测试系统对所制作器件的插入损耗和出光平衡度进行测量 测试结果 . . 表明,该器件在 1550nm波长附近的40nm带宽范围内获得了约2.6dB的通带平坦度,在 1550nm 通信波长处,器件的插入损耗低于 10dB. 关键词:多模干涉耦合器;强限制波导;束传播方法 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN252 A 1004421320120302994           在自映像原理的作用下,沿着传播方向,多模波导区 0 引言   中会周期性地出现输入场的一重像或者多重像. 高性能、集成化的光耦合器是高速、大范围、多 图 为 耦合器的平面结构图 波导 1 1×4MMI . 路访问光纤网络中必不可少的重要器件 基于自镜 芯 层 为 采 用 ( .

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