掺！#的$%！低介电常数薄膜结构与介电性能研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $) ## %%$ ## ， ， ， .H? 7$) VH 7 ## VHWX=QXM %%$ （ ） #%%%-’D%I%%$I$) ## I$)#;-%$ +9 N6U3:+ 3:V:+ !%%$ +Y4G 7 NY@Z 7 3HF 7 掺 !# 的$%! 低介电常数薄膜结构 与介电性能研究! ! 俞笑竹 王婷婷 叶 超 宁兆元 （苏州大学物理科学与技术学院，江苏省薄膜材料重点实验室，苏州 #$%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%$ ’ #( %%$ ) #) 以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ ）方法制备了 *+,-+./ ， 下的热稳定性优良的 低介电常数薄膜 通过薄膜结构的 谱分析，比较了十甲基环五硅 ! 0 1)$ )($2 34+56 7 89:, 氧烷（ ）液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异，发现在沉积过程中甲烷含量的增大，一方面有利于 /$ 源环结构的保留，另一方面有利于薄膜中形成高密度的 基团 高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密 /$ +6 7 度，结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率 — 键以及— 键减少的共同作用，导致薄膜介电常数的降低 34 + 56 7 关键词：低介电常数， 薄膜，碳氢掺杂 34+56 ： ， ， ’(!! ;;$$ ;’% ;(’% 实了在薄膜中引入纳米级的孔可以有效降低材料的 ［］ #1 引 言 介电常数，受到了人们极大的关注 7 %% 年， PAQRAQG 和NMS 等人也相继采用环结构的四乙烯 近年来微电子器件的集成度不断提高，器件密 基四甲基环四硅氧烷（ ）和一乙烯基三甲基 9.9T+93 度和连线密度的增