太阳电池中起因于.PDFVIP

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2017-07-24 发布于江苏
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太阳电池中起因于.PDF

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太阳电池中起因于

第卷第期年月５９４２０１０４物　理　学　报Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ，２０１０１０００３２９０／２０１０／５９０４／２　７８３０６（）ＡＣＴＡＰＨＹＳＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ２０１０Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．  ＣｄＴｅ太阳电池中起因于Ｃｕ的深能级郑旭黎兵王钊张东廷冯良桓张静全蔡亚平 　　　　　　　　　郑家贵武莉莉李卫雷智曾广根　　　　　　（四川大学材料科学与工程学院，成都）　６１００６４（２００９年１０月２８日收到；２００９年１２月４日收到修改稿）在太阳电池中，易引入并形成深能级中心本文采用深能级瞬态谱测试法研究了背接触和石墨背　　ＣｄＴｅＣｕ．ＺｎＴｅ接触ＣｄＴｅ太阳电池的部分深能级中心．研究中运用密度泛函相关理论，分析闪锌矿结构ＣｄＴｅ，Ｃｄ空位体系和掺Ｃｕ２＋体系的电子态密度，计算得出Ｔ场和Ｃ场下Ｃｕｄ轨道的分裂情况．计算结果表明，ＣｄＴｅ太阳电池中的Ｅ＋０２０６ｄ３ｖｖ和两个深中心来源于替代原子计算结果还表明，掺入可降低体系能量ｅＶＥ＋０１２２ｅＶＣｕＣｄ．ＣｕＣｄＴｅ．ｖ关键词：深能级瞬态谱，第一性原理，ＣｄＴｅ，Ｃｕ杂质ＰＡＣＣ：７３６０Ｌ，７３２０Ａ，７１５５Ｆ入Ｂｉ替代式杂质进行过研究．１ 引言本文同时采用了实验和理论两种途径和手段研究了替位式Ｃｕ对ＣｄＴｅ太阳电池的影响．在实验ＣｄＳ／ＣｄＴｅ薄膜太阳电池理论光电转换效率高、方面，我们采用了深能级瞬态谱（ｄｅｅｐｌｅｖｅｌｔｒａｎｓｉｅｎｔ工艺较简单，目前是前景广阔的薄膜太阳电池之ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙＤＬＴＳＣｕ，简记为）测量方法对的深中一．在制备ＣｄＴｅ太阳电池的过程中，易引入Ｃｕ等心进行了研究．用ＤＬＴＳ法测量ＣｄＴｅ膜中深中心杂质离子，进而形成缺陷态和深能级中心，即杂质的报道可参见文献［］；在理论研究方面，我们采用７［，］离子电离形成的能级位置离导带或者价带较远，并８９