银在硅纳米孔柱阵列上浸渍沉积的位置选择性.pdfVIP

第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 NO．3 2008年6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALs June．2008 银在硅纳米孔柱阵列上浸渍沉积的位置选择性 柴花斗 。，富笑男 ，李新建。 (1．郑州师范高等专科学校物理系，郑州450044；2．河南工业大学理学院，郑州450052； 3．郑州大学物理系材料物理教育部重点实验室，郑州450052) 摘要：利用硅纳米孔柱阵列(Si．NPA)表面规则的图案化形貌和还原性，采用浸渍沉积技术制备了具有三种不同表 面结构特征的Ag／Si—NPA复合纳米体系。在未经清洗的Si—NPA衬底，沉积银的形貌为树枝状；在新鲜衬底和自然 老化衬底上，银的沉积都会形成规则的手链网络；而经过强氧化处理的衬底上则不能实现银的浸渍沉积。分析表 明，Si—NPA表面的规则阵列和多孔结构等几何构型，在样品的后处理过程中将导致样品表面氧化程度随空间几何 位置出现周期性梯度分布，从而对浸渍溶液中银离子在不同几何特征区域的还原、成核及生长模式产生控制作用， 最终导致了银在Si—NPA表面浸渍沉积的位置选择性。本研究为采用浸渍沉积技术制备周期性、图案化的金属／硅 复合纳米体系，研究其物理性能并探索其可能的器件应用奠定了基础。 关键词：硅纳米孔柱阵列；浸渍沉积；Ag／Si-NPA 中图分类号：078 文献标识码：A 文章编号：looo-985x(2008)03-0739-05 Site-selective Immersion Plating of Silver on Silicon Nanoporous Pillar Array CHAIHua．dou ，F Xiao．耽n ，LIXin-jian (1．Department of Physics，Zhengzhou Teachers College，Zhengzhou 450044，China；2．Science College，Henan University of Technology，Zhengzhou 450052，China；3．Key Laboratory of Materials Physics，Ministry of Education，Deparment of Physics，Zhengzhou University，Zhengzhou 450052，China) (Received 10 Septeraper2007；accepted 18 October 2007) Abstract：Utilizing regular patterned sui~ace morphologyand reducibility of silicon nanoporous pillar array (Si—NPA)，Ag／Si—NPA composite nanosystems with three kinds of morpho．1ogical characteristics were prepared by immersion plating method．The morphology of the silver deposited on the Si—NPA without cleaning process was characterized by fir—tree crystal，while those on both the cleaned and the naturally oxidized Si—NPA exhibited a regular netw