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TX3357 - 上海太矽电子科技有限公司
TX3357 NPNSILICONRFTRANSISTOR 描述 TX3357是上海太矽电子科技有限公司生产的超高频低噪声功率晶体管，采用平 面NPN硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的 电流特性，封装形式为SOT-89贴片式封装，主要应用于VHF，UHF和CATV高 频宽带低噪声放大器。 主要特性 2 高增益: ︱S21e ︱典型值为 10dB @VCE 10V，IC 20mA，f 1GHz 低噪声: NF典型值为 1.7dB @VCE 10V，IC 7mA， f 1GHz 增益带宽乘积:fT 典型值为 6.5GHz @VCE 10V，IC 20mA f 1GHz 订购信息 产品号 标准包装 TX3357 1K/盘 极限工作条件范围 (TA 25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流 IC 100 mA *功耗 PC 1.2 W 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65~ +150 ℃ *采用散热板 hFE规格 分档 A B C D E 标号 RH RF RE hFE 60-100 90-140 130-180 170-250 250-300 TXSEMICONDUCTORELECTRONICSCO.,LTD - 1- TX3357 NPNSILICONRFTRANSISTOR 电学特性 (TA 25℃) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V IC 1.0µA 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V IC 100µA 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 µA VCB 10V 发射极基极漏电流 IEBO 0.1 µA VEB 1V 直流增益 hFE 60 150 300 VCE 10V,IC 20mA 增益带宽乘积 fT 6.5 GHz VCE 10V,IC 20mA 输
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