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第卷第期年月物理学报薄膜的光致电阻率变化特性汪世林陈长乐王跃龙金克新王永仓任韧宋宙模袁孝西北工业大学应用物理系西安西安交通大学理学院西安华中科技大学武汉年月日收到年月日收到修改稿射频磁控溅射法制备了纳米薄膜该薄膜发生相变的转变点温度为近似为电阻峰值温度在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的薄膜在连续激光作用时低温段表现为光致电阻率增大效应即并在曲线拐点附近取得极大值当时即光电导效应调制激光脉冲光响应实验发现光致信号强度和温度及偏置电流之间存在非线性关系光致电阻率增大信号极大值为偏置电流的二次函
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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