退火温度对磁控溅射牦犻犆薄膜结构和光学性能的影响-材料与测试网.PDF

退火温度对磁控溅射犛犻犆薄膜结构和 光学性能的影响 都 智，李合琴，聂竹华，储汉奇，朱景超 　 （合肥工业大学 材料科学与工程学院，合肥 ２３０００９） 首先采用射频磁控溅射法在单晶 （ ）衬底上沉积制备了 薄膜，然后将所制备的 摘 要： Ｓｉ１００ ＳｉＣ 　 薄膜试样分别在 ， 和 氩气氛中退火 ；采用 射线衍射仪和红外吸收光谱仪 ６００８００ １０００℃ １２０ｍｉｎ Ｘ 分析了薄膜的结构随退火温度的变化，采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的 变化。结果表明：室温制备的ＳｉＣ薄膜为非晶态，经６００℃退火后薄膜结晶，且随着退火温度的升 高，薄膜的结晶程度越来越好，并且部分 结构发生了由 到 的转变；所制备的 薄 ＳｉＣ ＳｉＣ ＳｉＣ ＳｉＣ α β 膜在 和 处有两个发光峰，且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强，其中 ３８４ ４０８ｎｍ ３８４ｎｍ 处的峰源自于 的发光， 处的峰源自于碳簇的发光。 ＳｉＣ ４０８ｎｍ 关键词： 薄膜；射频磁控溅射；退火温度；结构；光致发光 ＳｉＣ 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） ＴＢ４３ Ａ １００１４０１２２０１０１２０７５３０４ 　　　 　　　 犈犳犳犲犮狋狅犳犃狀狀犲犪犾犻狀 犜犲犿 犲狉犪狋狌狉犲狊狅狀犛狋狉狌犮狋狌狉犲狊犪狀犱犗狋犻犮犪犾犘狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳 犵 狆 狆 狆 犚犉犕犪狀犲狋狉狅狀犛狌狋狋犲狉犻狀犛犻犆犉犻犾犿狊 犵 狆 犵 ， ， ， ， 犇犝犣犺犻犔犐犎犲犻狀 犖犐犈犣犺狌犺狌犪犆犎犝犎犪狀犻犣犎犝犑犻狀犮犺犪狅 狇 狇 犵 （ ， ， ， ） ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｉｎｅｅｒｉｎ ＨｅｆｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏ Ｈｅｆｅｉ２３０００９Ｃｈｉｎａ ｇ ｇ ｙ ｇｙ ： （ ） 犃犫狊狋狉犪犮狋ＦｉｒｓｔＳｉＣｆｉｌｍｓｗｅｒｅ ｒｅａｒｅｄｏｎＳｉ１００ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｂ ＲＦｍａｎｅｔｒｏｎｓｕｔｔｅｒｉｎ ａｔｒｏｏｍ ｐ ｐ ｙ ｇ ｐ ｇ ，