MOCVD 法生长Ga、P 掺杂的ZnO 薄膜 - 发光学报.PDF

第34卷摇 第1期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾1 2013年1月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Jan. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)01鄄0082鄄05 MOCVD法生长 Ga、P掺杂的ZnO薄膜 殷摇 伟,张金香,崔夕军,赵摇 旺,王摇 辉, * 史志峰,董摇 鑫,张宝林 ,杜国同 (集成光电子学国家重点联合实验室 吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春摇 130012) 摘要:采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫 描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。 通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型 19 -3 16 -3 ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1伊10 cm ,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66伊10 cm 。所制备的 ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性。 关摇 键摇 词:MOCVD;ZnO薄膜;Ga、P掺杂 中图分类号:O484.1摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0082 Ga鄄doped and P鄄doped ZnO Films Grown by MOCVD YIN Wei,ZHANGJin鄄xiang,CUI Xi鄄jun,ZHAO Wang,WANG Hui, * SHI Zhi鄄feng,DONG Xin,ZHANG Bao鄄lin ,DU Guo鄄tong (StateKey Laboratory on Integrated Optoelectronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130012,China) *Corresponding Author,E鄄mail:zbl@ Abstract:Gallium鄄doped zinc oxide (ZnO颐Ga) and phosphorus鄄doped zinc oxide (ZnO颐P) films were separately preparedonAl O substratesby metal organicchemicalvapor deposition (MOCVD) 2 3 method. The microstructure, electrical and optical properties were studied by X鄄ray diffraction (XRD),scanning electron microscopy,Hall effect measurement,the room temperature photolumi鄄 nescence (PL) spectrum,respectively. The n鄄type ZnO films with a carrier concentration of 1伊 19 -3