ONCHIPESD防护设计高级培训班简章.PDFVIP

“ON CHIP ESD 防护设计”高级培训班简章 静电放电（ESD ）现象在半导体行业中是普遍存在的。它随时可能发生在半 导体器件和集成电路的制作、测试、封装直到用户使用的任何过程中。近期美国 公布了涉及 10 多个行业因静电放电造成的损失调查结果，平均每年的直接经济 损失高达 200 多亿美元，仅电子工业部门每年因静电危害损坏电子元器件的损失 就高达 100 多亿美元。每年因静电击穿而造成失效的芯片占总失效芯片的 35% 。 ESD 的保护变得越来越重要。 随着深亚微米及纳米级 IC 工艺的发展和射频、高速集成电路产品的开发， 静电放电现象的破坏力日益增强。传统的二极管静电保护方法，已经不能满足业 界对静电防护标准的要求。如何保护集成电路不被静电击穿，已成为各半导体代 工企业越来越重视的问题。静电放电防护设计也成为集成电路设计企业要重点解 决的一个关键问题， 为了提高国内 On Chip ESD 防护设计水平，交流 ESD 防护设计经验，浙江 大学 ESD 实验室协同国家集成电路设计杭州产业化基地和杭州国家高新技术产 业开发区人才中心，邀请到美国和台湾来自大学和企业界资深 ESD 专家和著名 TCAD 软件及 ESD 测试设备供应商，共同举办 On Chip ESD 防护设计培训班。 该培训班获得了 IEEE EDS 的支持。 培训班共计四天，用中、英文授课。面向全国招生。 一、培训大纲及内容： T1. 集成电路片上 ESD 防护知识 1 ESD简介以及ESD测试模式。 2 ESD防护器件结构：二极管/三极管/场效应管/晶闸管。 3 输入端，输出端的ESD防护电路。 4 混合信号，射频和全芯片级ESD防护的特别设计。 T2. 钳位单元设计 1. CMOS工艺中关键ESD元件设计。 2. 以可控方式泄放ESD电荷的钳位单元设计。 3. 影响ESD防护性能的设计因素考虑。 T3. ESD 仿真工具 TCAD 的应用 1. 利用TCAD工具对ESD基本防护器件进行直流仿真、电路器件混合仿真的 方法。 2. 利用TCAD工具对ESD防护器件的极值温度，极值功率进行仿真的方法。 3. ESD仿真物理模型参数的选择。 4. ESD仿真收敛性问题解决方案。 T4. 芯片级 ESD 设计和应用 1. 帮助设计者理解客户的ESD需求指标。 2. 将客户需求转化为和选定工艺条件相兼容的ESD结构，满足ESD设计指 标，并且不干涉电路的正常工作。 3. 一个阐明上述过程的实例。 ON CHIP ESD防护设计高级培训班 浙江大学信息学院ESD实验室 ESD-china发布 T5. ESD测试及标准 1. ESD测试标准简介和分类 2. HBM模式测试方法与步骤 3. MM模式测试方法与步骤 4. CDM模式测试方法与步骤 T6. 射频 ESD 设计 1. 射频ESD简介。 2. 射频ESD测试专题。 3. 射频ESD防护建模。 4. 射频ESD 防护设计。 5. 射频功能完整性的ESD优化。 6. 利用工艺仿真器和器件仿真器来进行射频ESD辅助设计。 T7. 晶闸管类 ESD 防护器件设计 1. 晶闸管ESD防护器件工作机理以及晶闸管类器件设计可能出现的问题。 2. 对不同种类晶闸管器件结构的回顾。 3. 晶闸管的标准化设计方法论。 4. 晶闸管器件直流和混合模式的TCAD仿真。 T8. MOSFET 建模 1. 双栅MOSFET 2. 三栅MOSFET 3. 环绕状栅MOSFET 4．FinFET 二、培训日程安排（更新） 日期 5月18日 5月19日 5月20日 5月21日 5月22日 星期五 星期六 星期日 星期一 星期二 上午 T2. T4.