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AO3407(MOS场效应管原厂推荐)
AO3407
SOT-23場效應晶體管(SOT-23FieldEffectTransistors) WWW.DCY-CHINA.NET
P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs
P沟道增强型MOS场效应管
■MAXIMUMRATINGS最大額定值
Characteristic Symbol Max Unit
特性參數 符號 最大值 單位
Drain-SourceVoltage
BVDSS -30 V
漏極-源極電壓
Gate-SourceVoltage
VGS +20 V
栅極-源極電壓
DrainCurrent(continuous)
ID -4.1 A
漏極電流-連續
DrainCurrent(pulsed)
IDM -16 A
漏極電流-脉冲
TotalDeviceDissipation
總耗散功率 PD 1400 mW
T =25℃環境溫度爲25℃
A
Junction
TJ 150 ℃
結溫
StorageTemperature
Tstg -55to+150 ℃
儲存溫度
AO3407
■ELECTRICALCHARACTERISTICS電特性
(T =25℃ unlessotherwisenoted如無特殊說明，溫度爲25℃)
A
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
特性參數 符號 最小值 典型值 最大值 單位
Drain-SourceBreakdownVoltage
BVDSS -30 — — V
漏極-源極擊穿電壓(I =-250uA,V =0V)
D GS
GateThresholdVoltage
VGS(th) -1 — -2.5 V
栅極開启電壓(I =-250uA,V =V )
D GS DS
DiodeForwardVoltageDrop
VSD — — -1 V
内附二極管正向壓降(I=-1A,V =0V)
S GS
ZeroGateVoltageDrainCurrent
零栅壓漏極電流(V =0V,V =-24V) I — — -1 uA
GS DS DSS
(V =0V,V =-24V,T 55℃)
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