三方圈一级加权处理法确定爱泼斯坦方圈等效磁路长度.pdfVIP

工艺 ·技术 ·应用 三方圈一级加权处理法确定爱泼斯坦方圈等效磁路长度 1 1 2 3 李悦宁 ，李永刚 ，程志光 ，孔庆奕 (1. 华北电力大学 电气与电子工程学院，河北保定 071003； 2. 保定天威集团公司，河北保定 071056； 3. 河北工业大学 电气工程学院，天津 300401) 摘 要：基于双爱泼斯坦方圈测量法，采用两组双爱泼斯坦方圈 （即2E(25-20)和 2E(20-17.5) ）磁性能测量 装置，对 30P120 硅钢试片进行了双方圈测量实验，考察了等效磁路长度的影响因素。通过三维仿真模拟，证明 了双爱泼斯坦方圈法的前提条件是相应的搭接位置磁密相等，在其基础上，提出一种加权处理法，对 25cm 爱泼 斯坦方圈不同部位 （其铁轭中段均匀区和角部搭接区以及两者之间的影响区）的总比损耗所确定的等效磁路长 度进行加权处理，确定其实际有效的磁路长度，并与双方圈法进行比较分析。既排除方圈角部双搭接结构区域 被测试样磁性能不均匀性的影响，又考虑了方圈不同部位的总比损耗对等效磁路长度的影响。实验结果证实本 文提出的方法可以正确地确定电工钢片的总比损耗。 关键词: 硅钢片；双爱泼斯坦方圈法；等效磁路长度；总比损耗；加权处理法 中图分类号：TM275; TM206 文献标识码：A 文章编号：1001-3830(2014)02-0043-06 Triple Epstein frame first-level weighted processing method for determining the effective path length of the Epstein frame 1 1 2 3 LI Yue-ning , LI Yong-gang , CHENG Zhi-guang , KONG Qing-yi 1. School of Electrical and Electronic Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003, China; 2. Tianwei Group Co, Ltd, Baoding 071056, China; 3. School of Electrical Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300401, China Abstract ：Based on double Epstein frame measurement method, double Epstein frame measurement experiments are carried out for 30P120 silicon steel samples using two pairs of Epstein frames (namely 2E (25-20) and 2E (20-17.5)) magnetic measuring devices, to study factors affecting the mean path length of the Epstein frame. 3D simulation proves the preconditions of double Epstein frame method, that is equivalent magnetic flux density of corresponding corner positions. On this