双沟道N-MOSFETMEM2318系列描述:特点:引脚排列图:典型应用.PDF

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双沟道N-MOSFETMEM2318系列描述:特点:引脚排列图:典型应用

双沟道 N-MOSFET MEM2318 系列 Ver 03 双沟道 N-MOSFET MEM2318 系列 描述: 特点: MEM2318 系列 双 N 沟道增强型功率场效 20V/6A R =18mΩ@ V =4.5V,I =6A 应管(MOSFET ),采用高单元密度的DMOS 沟 DS(ON) GS D R =19mΩ@ V =3.85V,I =5A 道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通 DS(ON) GS D 超大密度单元、极小的 RDS(ON) ) 电阻。 贴片封装:TSSOP-8 MEM2318 适用于低压应用,例如移动电话, ESD 保护:3000V 笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 封装形式:TSSOP8,SOT-23-6 引脚排列图: 典型应用: 笔记本电池管理 便携式设备 电池电源系统 DC/DC 转换 负载开关 LCD 显示适配器 极限参数: 参数 符号 极限值 单位 漏级电压 VDSS 20V V 栅级电压 VGSS ±12 V 漏级电流 ID 6 A 允许最大功耗 PD 2 W 工作温度 TOpr 150 ℃ 存贮温度 Tstg -65/150 ℃ 南京微盟电子有限公司 第 1 页 共 7 页 www. microne. com. cn 电话:025 双沟道 N-MOSFET MEM2318 系列 Ver 03 主要参数及工作特性: MEM2318

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