GB/T 33236-2016多晶硅　痕量元素化学分析　辉光放电质谱法.pdf

ICS71.040.40 G04 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT33236 2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 — — Polcrstallinesilicon Determinationoftraceelements y y Glowdischaremasssectrometrmethod g p y 2016-12-13发布 2017-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT33236 2016 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 本标准由全国微束分析标准化技术委员会( / )提出并归口。 SACTC38 : 。 本标准起草单位 中国科学院上海硅酸盐研究所 : 、 、 、 、 、 、 。 本标准主要起草人 卓尚军 钱荣 董疆丽 申如香 盛成 高捷 郑文平 Ⅰ / — GBT33236 2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 1 范围 本标准规定了采用辉光放电质谱( )法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。 GD-MS , 本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定 测量范围是本 ( ), 。 , 方法的检出限至0.1% 质量分数 检出限根据所用仪器及测量条件确定 通过合适的标准样品校正 。