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三、磁性层与非磁性元素调节对SmCo薄膜结构和性能的影响 图3-9Sm2Co17Cu（Cu1.5nm）Cr(x)/Cu（100nm）/Cr（3nm）薄膜的磁滞回线图，A.x=1.6nm, B.x=3.2nm 硕士毕业论文答辩 HcA=1920Oe HcB=2140Oe MsA=0.0017emu/cm2 MsB=0.0015emu/cm2 三、磁性层与非磁性元素调节对SmCo薄膜结构和性能的影响 从图3-6中发现，Cr掺入少，不仅Sm2Co17（300）峰弱，而且出现了SmCo5 (200)峰，影响Sm2Co17（300）的生长，不利于制备Sm2Co17薄膜。 从图3-7中发现，掺入3.2nmCr的Sm2Co17薄膜表面晶粒较平整且致密，有利于细化晶粒，提高结构。 从图3-7中发现，掺入3.2nmCr的Sm2Co17薄膜矫顽力大，掺入1.6nmCr的Sm2Co17薄膜饱和磁化强度大。 硕士毕业论文答辩 三、磁性层与非磁性元素调节对SmCo薄膜结构和性能的影响 图3-10 Sm2Co17Cu（Cu1.5nm）Cr（3.2nm）/Cu（100/150nm）/Cr（3nm）薄膜的XRD衍射图，A.Cu=100nm B.Cu=150nm 硕士毕业论文答辩 4. 不同种子层Cu厚度 三、磁性层与非磁性元素调节对SmCo薄膜结构和性能的影响 图3-11 Sm2Co17Cu（Cu1.5nm）Cr（3.2nm）/Cu（100/150nm）/Cr（3nm）薄膜的磁滞回线图，A.Cu=100nm B.Cu=150nm 硕士毕业论文答辩 MsA=0.0015emu/cm2 MsB=0.0010emu/cm2 四、Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 （1）不同Cr掺入量 （2）不同SmCo磁性层厚度 （3）不同Sm含量 硕士毕业论文答辩 1. 磁性层与非磁性元素调节对交换偏置的影响 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 图4-1 Sm2Co17Cu（Cu1.5nm）Cr(x)/Cu（100nm）/Cr（3nm）薄膜的磁滞回线图，A.x=1.6nm, B.x=3.2nm, C.x=6.4nm 硕士毕业论文答辩 (1). 不同Cr含量 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 HE= (Hc++Hc-)/2 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 增加Cr的含量有利于增强SmCo薄膜的交换偏置作用，随着Cr含量的增加，Cr在薄膜中形成钉扎，阻止了畴壁的移动，提高矫顽力，矫顽力增大导致交换偏置作用更强，偏置场变大。 硕士毕业论文答辩 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 (2). 不同SmCo磁性层厚度 图4-3[Sm2Co17CuCr(Cr3.2nm)]x/Cu(100nm)/Cr(3nm)薄膜的磁滞回线图 ，A.x=40nm B.x=60nm HEA=210Oe HEB=162Oe 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 图4-4[Sm2Co17CuCr(Cr6.4nm)]x/Cu(100nm)/Cr(3nm)薄膜的磁滞回线图 ，C.x=40nm D.x=60nm HEC=655Oe HED=163Oe 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 从图4-3和4-4中可以看出SmCo磁性层厚度增加会影响交换偏置，验证了HE∝1/tFM理论。 硕士毕业论文答辩 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 (3). 不同Sm含量 图 4-5 Sm2 (x)Co17CuCr/Cu(100nm)/Cr(3nm)薄膜的磁滞回线图 ，x为Sm的沉积时间 HE6s=216Oe HE8s=82Oe HE10s=26Oe 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 随着掺入Sm含量的增加，偏置场HE不但减小，而且降低的幅度很大，说明增加磁性元素Sm的含量会影响SmCo薄膜的交换偏置。Sm的增多使得Hc+变小，从而引起Hc++Hc-变小，导致HE减小。 硕士毕业论文答辩 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 3. Sm2Co17薄膜磁性交换偏置与温度变化关系 图 4-6 Sm2Co17Cu(Cu 1.5nm)Cr(3.2nm)/Cu(100nm)/Cr(3nm)薄膜的ZFC-FC曲线 。 四、 Sm2Co17薄膜磁性交换偏置效应研究 硕士毕业论文答辩 图4-7 Sm2Co17Cu(Cu1.5nm)Cr